[实用新型]一种用于功率半导体DPOLY工艺的立式炉工艺舟

说明书

本实用新型公开了一种用于功率半导体DPOLY工艺的立式炉工艺舟，所述工艺舟包括腔体，其中：所述腔体构造有用于将硅片放入所述腔体内部的安置口；所述腔体内构造有一层或多层安置台，每层安置台对应安置一片硅片；每层安置台包含一个或多个固定安装在所述腔体内壁的支撑构件，所述安置台配置为利用所述支撑构件支撑所述硅片以实现对所述硅片的水平定位安置；所述支撑构件配置为其在支撑所述硅片时上表面与所述硅片接触，其中，所述上表面构造为非水平面结构。本实用新型的工艺舟结构简单、硬件成本低；相较于现有技术，可以有效减少硅片与工艺舟的接触面积，从而有效降低硅片与工艺舟粘连情况的发生，从而降低的备件消耗费用。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体涉及一种用于功率半导体DPOLY工艺的立式炉工艺舟。

背景技术

多晶硅(POLY)在半导体器件制造过程中，应用非常广泛，主要用为栅极、互连、填充材料。如在平面IGBT器件中，多晶硅用于栅极和互连材料；沟槽栅 IGBT产品制造过程中，多晶硅来用作沟槽填充材料。

原位掺杂多晶硅(DPOLY)是现有技术中多晶硅工艺中一个重要分支：其反应温度520-560℃，采用硅烷和磷烷同时通入炉管进行工艺。通常，多晶硅反应设备为立式炉管设备。如图1所示，立式炉管设备的反应腔室为石英(QUARTZ) 的内管112、外管111，以及碳化硅(SIC)的工艺舟113。

工艺舟是硅片进行工艺时的载具，在现有技术中，工作状态下的工艺舟的大致结构如图2所示，工艺舟210内具备多层卡槽212，每层卡槽水平安置一片硅片211。在实际应用场景中，工艺舟承载硅片在炉内进行反应时，会出现硅片与承载其的工艺舟卡槽发生粘连的情况。在这种情况下，硅片和工艺舟出炉后从反应温度(520-560℃)短时间内降到室温，极易造成硅片因为应力变化不能得到自恢复而碎片。为了解决这类问题，通常的解决办法是对工艺舟与硅片之间的接触面的涂层进行修复处理或者是更换SIC工艺舟，这就导致一笔非常大的备件消耗费用。

实用新型内容

本实用新型提供了一种用于功率半导体DPOLY工艺的立式炉工艺舟，所述工艺舟包括腔体，其中：

所述腔体构造有用于将硅片放入所述腔体内部的安置口；

所述腔体内构造有一层或多层安置台，每层安置台对应安置一片硅片；

每层安置台包含一个或多个固定安装在所述腔体内壁的支撑构件，所述安置台配置为利用所述支撑构件支撑所述硅片以实现对所述硅片的水平定位安置；

所述支撑构件配置为其在支撑所述硅片时上表面与所述硅片接触，其中，所述上表面构造为非水平面结构。

在一实施例中，所述上表面构造为斜面。

在一实施例中，所述上表面构造为在由所述腔体内壁到所述腔体内中心方向上向下的斜面。

在一实施例中，所述上表面与水平面的夹角为30度。

在一实施例中，每层安置台包含1个所述支撑构件，所述支撑构件呈弧状围绕所述腔体内中心。

在一实施例中，每层安置台包含多个所述支撑构件，多个所述支撑构件围绕所述腔体内中心等间距排布。

在一实施例中，每层安置台包含4个所述支撑构件。

在一实施例中，所述腔体一侧完全开放作为所述安置口。

本实用新型的工艺舟结构简单、硬件成本低；相较于现有技术，可以有效减少硅片与工艺舟的接触面积，从而有效降低硅片与工艺舟粘连情况的发生，从而降低的备件消耗费用。