[实用新型]一种采用单芯片实现的三相窄带高速电力载波模块

权利要求书

1.一种采用单芯片实现的三相窄带高速电力载波模块，其特征在于，包括型号为STCOMET的主处理芯片（1）， 所述主处理芯片（1）通过第一SPI接口与FLASH存储模块（2）连接，所述主处理芯片（1）还通过第一I2C接口与EEPROM存储模块（3）连接，所述的主处理芯片（1）、FLASH存储模块（2）和EEPROM存储模块（3）均由3.3V外部电源供电；所述主处理芯片（1）还通过双向通信接口与耦合及滤波电路模块（4）连通，所述的耦合及滤波电路模块（4）包括变压器T1，变压器T1的初级线圈第一引脚分别连接电感L1的一端、电感L2的一端和电感L3的一端，电感L1的另一端分别连接电容C1的一端和二极管TVS1的负极，电感L2的另一端分别连接电容C2的一端和二极管TVS2的负极，电感L3的另一端分别连接电容C3的一端和二极管TVS3的负极，电容C1的另一端连接外部三相电源的A相，电容C2的另一端连接外部三相电源的B相，电容C3的另一端连接外部三相电源的C相，二极管TVS1的正极分别连接二极管TVS2的正极、二极管TVS3的正极、外部三相电源的零线N和变压器T1的初级线圈第二引脚；变压器T1的次级线圈第一引脚分别连接二极管TVS5的负极和电阻R2的一端，变压器T1的次级线圈第二引脚分别连接二极管TVS4的负极和电阻R1的一端，二极管TVS5的正极与二极管TVS4的正极相连并接地，电阻R2的另一端分别连接二极管TVS6的负极、电感L5的一端、电容C7的一端、电容C6的一端和电容C5的一端，电容C5的另一端与主处理芯片上的TX接口连接，电阻R1的另一端分别连接二极管TVS6的正极、电感L5的另一端、电容C7的另一端、电容C8的一端和电容C10的一端，电容C10的另一端与主处理芯片上的RX接口连接；电容C8的另一端与电容C6的另一端相连并接地。

2.根据权利要求1所述的一种采用单芯片实现的三相窄带高速电力载波模块，其特征在于，所述FLASH存储模块（2）的型号为M25P16-VMN6P。

3.根据权利要求2所述的一种采用单芯片实现的三相窄带高速电力载波模块，其特征在于，所述 EEPROM存储模块（3）的型号为AT24C512。

4.根据权利要求3所述的一种采用单芯片实现的三相窄带高速电力载波模块，其特征在于，在所述主处理芯片（1）上还设有第二SPI接口和第二I2C接口。

5.根据权利要求4所述的一种采用单芯片实现的三相窄带高速电力载波模块，其特征在于，在所述主处理芯片（1）上设有第一电源输入接口、第二电源输入接口和第三电源输入接口，所述第一电源输入接口接入3.3V外部电源，第二电源输入接口接入5V外部电源，第三电源输入接口接入15V外部电源。

6.根据权利要求5所述的一种采用单芯片实现的三相窄带高速电力载波模块，其特征在于，在所述主处理芯片（1）上还设有串口、PWM接口、模拟信号接口和数字信号接口。