[实用新型]一种用于GIS设备超高频局部放电测试仪的金属探测电路及金属探测器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电力设备技术领域，具体涉及一种用于GIS设备超高频局部放电测试仪的金属探测电路及金属探测器。

背景技术

气体绝缘全封闭组合电器(GIS)是把整个变电站内的设备全部封闭在一个接地的金属外壳内，具有高度集成化、小型化、美观化、安装方便和运行性能可靠的特点。在GIS设备实际运行中，由于设备制造工艺不良，内部有气泡，导电部分接触不良，电极表面有毛刺、刮伤，或者安装欠佳出现有尖锐边缘的台阶，内部有自由导电微粒等，造成设备局部放电，绝缘击穿的事故时有发生，导致严重的经济损失和不良的社会影响。GIS局部放电检测是一种非破坏型的检测，可以弥补耐压试验的不足，可以发现绝缘中的薄弱环节，防止工艺和安装过程中的绝缘缺陷故障，并能确定放电位置，从而进行有效处理，减少绝缘事故。因此，采用GIS局部放电检测显得十分重要。在 GIS局部放电多种测试方法中，超高频测试方法比其他方法测试适用性更强，采集对各种信号更精确，对各种缺陷故障更敏感。但是，GIS设备绝缘盘一旦采用金属屏蔽接地，超高频测试方法则不适合使用。因此，正确判断GIS设备绝缘盘是否金属屏蔽接地的是一项十分重要的工作。

目前，判别GIS设备绝缘盘的使用方法为传统型判断方法：即通过咨询厂家设计，设计师根据设计图来断定GIS设备绝缘盘是否金属屏蔽接地，如果没有金属屏蔽接地的话，则可以使用超高频局部放电测试仪；如果金属屏蔽接地的话，则考虑设备是否预留注塑孔或者观望窗，能否通过注塑孔或者观望窗来辅助完成超高频局部放电测试，若两者均否，此时断定不能使用超高频测试方法。

因此，为了解决上述GIS设备绝缘盘是否金属屏蔽接地测试困难的问题，现需提供一种准确度高、测试效率高、便于携带和使用方便快捷用于GIS设备超高频局部放电测试仪的金属探测器，以提高准确判断能否使用超高频局部放电测试，提升GIS局部放电检测的准确性，保障电力系统的安全稳定可靠运行。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术的不足，提供了一种用于GIS设备超高频局部放电测试仪的金属探测电路及金属探测器，所述电路能够运用到用于GIS设备超高频局部放电测试仪的金属探测器中，具有准确度高、便于携带和使用方便的特点，能够准确测量GIS设备绝缘盘是否金属屏蔽接地，以便使用超高频测试方法进行局部放电测试，与传统的方法相比，极大地缩短了测试时间，清晰明确，精准判断，从而提高工作测试效率，有利于其普及和推广。

本实用新型的目的可以通过如下技术方案实现：

一种用于GIS设备超高频局部放电测试仪的金属探测电路，所述电路包括依次连接的高频振荡电路模块、放大整形信号处理模块、开关量输出模块和电源报警模块四部分。

所述高频振荡电路模块由耦合电容C1、耦合电容C2、三极管VT1、三极管VT2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电感线圈L1、电感线圈L2构成，所述耦合电容C1与电感线圈L1、电感线圈L2连接，所述电感线圈L1与电感线圈L2连接，所述三极管VT1发射极与耦合电容C1连接，三极管VT1基极与电阻R1、三极管VT2基极连接，所述三极管VT2发射极与电阻R2连接，三极管VT2集电极与耦合电容C2、电阻 R4、电阻R5连接，所述电阻R2与电阻R3连接，所述电阻R3与电感线圈L1、电感线圈L2连接，耦合电容C2与电感线圈L2、耦合电容C1、二极管D1连接，控制电源开关S0与电阻R4、电阻R1连接；

所述放大整形信号处理模块由三极管VT3、三极管VT4、电阻R5、电阻R6、电阻 R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11构成，所述三极管VT3基极与电阻R5、电阻R9连接，三极管VT3发射极与电阻R6、电阻R7连接，三极管VT3集电极与电阻R8 连接，所述三极管VT4基极与电阻R8、电阻R10、二极管D3连接，三极管VT4集电极与电阻R10、电阻R11连接，三极管VT4发射极与电阻R9、电阻R12连接，电阻R7与二极管D1连接，控制电源开关S0与电阻R6、电阻R11连接；

所述开关量输出模块由三极管VT5、二极管D1、发光二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R12、电阻R13和电阻R14构成，所述三极管VT5基极与电阻R13、发光二极管D2连接，三极管VT5集电极与电阻R14、二极管D3、二极管D4、蜂鸣器HA连接，三极管VT5发射极与二极管D1、二极管D4、电阻R13,所述二极管D2与电阻R12连接，控制电源开关S0与电阻R14连接；