[实用新型]低增益低旁瓣微基站天线

权利要求书

1.一种低增益低旁瓣微基站天线，其特征在于，其包括地板上设置的N个排列组阵的交叉振子对，每个交叉振子对包括两个交叉放置的下垂宽带振子，两个下垂宽带振子分别印制在介质基板上，在介质基板与该下垂宽带振子相对的另一面设有微带线，在地板上设有两路印制馈电网络，分别对阵列两子阵进行馈电，在馈电网络设有威尔金森功分器，该威尔金森功分器通过各级功分支路对各阵元馈电，其中N为大于等2的自然数。

2.如权利要求1所述的低增益低旁瓣微基站天线，其特征在于，该威尔金森功分器包括至少两级级联的不等分威尔金森功分器和单级威尔金森等功分器。

3.如权利要求2所述的低增益低旁瓣微基站天线，其特征在于，该威尔金森功分器包括不等分的前级功分器、不等分的中级功分器、等分的末级等功分器，该前级功分器的其中一支路连接该中级功分器，该中级功分器分出第一中级功分支路连接阵列的中间阵元，第二中级功分支路连接末级等功分器，该末级等功分器等分为第一末级功分支路、第二末级功分支路后分别对阵列两侧边缘的阵元馈电。

4.如权利要求3所述的低增益低旁瓣微基站天线，其特征在于，该末级等功分器等分为第一末级功分支路、第二末级功分支路后，然后分别延伸出第一末级延伸支路、第二末级延伸支路，然后对阵列两侧边缘的阵元馈电。

5.如权利要求4所述的低增益低旁瓣微基站天线，其特征在于，该中级功分器的第一中级功分支路与末级等功分器的第二末级延伸支路垂直相交，第一中级功分支路通过金属过孔，经由微带线地平面的功分支路延伸段跨过末级等功分器的第二末级延伸支路，之后经功分支路弯折段连接中间阵元。

6.如权利要求5所述的低增益低旁瓣微基站天线，其特征在于，该前级功分器包括第一前级功分支路和第二前级功分支路，该第一前级功分支路端接衰减电阻，该第二前级功分支路则连接所述中级功分器。

7.如权利要求6所述的低增益低旁瓣微基站天线，其特征在于，各级功分器两输出支路之间接隔离电阻。

8.如权利要求1～6任一项所述的低增益低旁瓣微基站天线，其特征在于，该下垂宽带振子包括对称设置的两个倒L形振子臂，该下垂宽带振子的振子臂下部为振子竖直段，振子竖直段顶部连接振子水平段，振子水平段末端朝下延伸出振子弯折段，振子竖直段与振子水平段拐角处外侧切振子斜角。

9.如权利要求8所述的低增益低旁瓣微基站天线，其特征在于，该微带线起始位置高于振子臂的振子竖直段低端，顺着其中心线方向设置，微带线起始段竖直朝上延伸出微带线竖直段，延伸至振子竖直段上部的振子斜角处后，朝振子水平段反方向延伸出微带线水平段，且在靠近振子斜角的第一直弯处有一朝下的开路短枝节，微带线水平段延伸至振子另一臂的振子斜角处，再朝下直弯折延伸出微带线下垂段，并顺着振子竖直段中心延伸至其中部后断开。

10.如权利要求9所述的低增益低旁瓣微基站天线，其特征在于，两个下垂宽带振子中心线重合并呈90o交叉放置，构成一个±45o或H/V交叉振子对，交叉处的两微带线水平段上下错开，并在其中之一介质基板的下方开设有第一互补槽，另一介质基板上方开设与第一互补槽配合的第二互补槽，第一互补槽与第二互补槽总深度等于介质基板的总高度。