[实用新型]一种钝化接触太阳能电池

权利要求书

1.一种钝化接触太阳能电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于：所述N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为隧穿氧化层、本征多晶硅层、局部掺杂的n+多晶硅区域、钝化减反膜和n+金属电极，所述n+金属电极设置在所述局部掺杂的n+多晶硅区域上；所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为p+掺杂区域、钝化膜和p+金属电极，所述p+金属电极设置在所述p+掺杂区域上。

2.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳能电池，其特征在于：所述隧穿氧化层为SiO₂，其厚度为1-3nm。

3.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳能电池，其特征在于：所述前表面的钝化减反膜为SiN_x介质膜，其厚度为60-80nm；所述背表面的钝化膜为SiO₂、SiNx或Al₂O₃介质膜中一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳能电池，其特征在于：p+金属电极包括背面主栅和背面副栅，背面主栅和背面副栅构成H型栅线；n+金属电极包括正面主栅和正面副栅，正面主栅和正面副栅构成H型栅线。

5.根据权利要求4所述的一种钝化接触太阳能电池，其特征在于：背面主栅宽0.5-3mm，等间距设置3-6根，背面副栅宽20-60um；正面主栅宽0.5-3mm，等间距设置3-6根，正面副栅宽20-60um。

6.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳能电池，其特征在于：所述n+金属电极为银合金电极，所述p+金属电极为银铝电极。

7.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳能电池，其特征在于：所述N型晶体硅基体的电阻率为0.5～15Ω·cm，N型晶体硅基体的厚度为50～300μm。