[实用新型]一种超快恢复二极管

说明书

本实用新型提供一种超快恢复二极管，包括扩磷层、单晶研磨片、扩硼层、金层、雕刻槽和镀银层，所述单晶研磨片的正面和背面分别与所述扩硼层和所述扩磷层相连，所述扩磷层通过所述金层与所述镀银层相连，所述扩硼层通过所述金层与所述镀银层相连，所述金层与所述镀银层相连界面上设置有所述雕刻槽。本实用新型的有益效果是有效提高二极管的生产成本和生产周期，大大提高了二极管的生产效率。

技术领域

本实用新型属于二极管结构设计技术领域，尤其是涉及一种超快恢复二极管。

背景技术

在现有的技术中，普通的二极管基底材料多采用外延片，外延片的价格较高，造成普通二极管的成本较高，而且普通的二极管在制造过程中工艺较为复杂,通常都需要设置一层PVCVD层，由于PVCVD的功能层制造较为复杂，造成二极管的生产周期较长，成本较高，因而大大限制了二极管的普及。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种超快恢复二极管，该二极管取消了PVCVD层的设计，降低了二极管的生产周期，同时基底采用单晶研磨片能够有效降低生产成本。

为达上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种超快恢复二极管，包括扩磷层、单晶研磨片、扩硼层、金层、雕刻槽和镀银层，其特征在于：所述单晶研磨片的正面和背面分别与所述扩硼层和所述扩磷层相连，所述扩磷层通过所述金层与所述镀银层相连，所述扩硼层通过所述金层与所述镀银层相连，所述金层与所述镀银层相连界面上设置有所述雕刻槽。

优选地，所述扩磷层和所述单晶研磨片表面均设置有若干无规则的连接槽。

优选地，所述单晶研磨片的厚度为250微米-300微米，电阻率为5Ω-10Ω。

优选地，所述扩磷层厚度为20微米-40微米。

优选地，所述扩硼层厚度为80微米-100微米。

优选地，所述金层厚度为50埃-100埃。

优选地，所述雕刻槽的深度为110微米。

本实用新型具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，是的该二极管采用单晶研磨片作为基底材料，大大降低了二极管的生产成本，而且该二极管避免了PVCVD层，大大提高了二极管的生产效率，而且通过雕刻操的设计能够有效提高层之间的稳定性。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图中：1、扩磷层；2、单晶研磨片；3、扩硼层；4、金层；5、雕刻槽；6、镀银层。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式，如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明。

如图1所示，本实用新型提供一种超快恢复二极管，包括扩磷层1、单晶研磨片2、扩硼层3、金层4、雕刻槽5和镀银层6，单晶研磨片2的正面和背面分别与扩硼层3和扩磷层1相连，扩磷层1通过金层4与镀银层6相连，扩硼层3通过金层4与镀银层6相连，金层4与镀银层6相连界面上设置有雕刻槽5。

优选地，扩磷层1和单晶研磨片2表面均设置有若干无规则的连接槽。

优选地，单晶研磨片2的厚度为250微米-300微米，电阻率为5Ω-10Ω。

优选地，扩磷层1厚度为20微米-40微米。

优选地，扩硼层3厚度为80微米-100微米。

优选地，金层4厚度为50埃-100埃。

优选地，雕刻槽5的深度为110微米。