[实用新型]一种硅片上下料的缓存机构有效
申请号: | 201720834247.2 | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN206970714U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 王俊朝;李军阳;李学文;刘兵吉 | 申请(专利权)人: | 深圳丰盛装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 深圳市深科信知识产权代理事务所(普通合伙)44422 | 代理人: | 彭光荣 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 上下 缓存 机构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池自动化设备技术领域,更具体的说,本实用新型涉及一种硅片上下料的缓存机构。
背景技术
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气象沉积是利用低温等离子体做能量源,硅片置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使硅片升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一秕化学和等离子体反应,在硅片上形成固态薄膜。
石墨舟作为硅片载体电极,硅片必须放置在石墨舟上才能进行镀膜工艺。在硅太阳能电池制造过程中,在进行硅片表面镀膜时,首先将未镀膜的硅片插入到石墨舟中,将载有硅片的石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备(简称PECVD设备)腔体中,采用合适的PECVD工艺对硅片进行镀膜。镀膜结束后,从真空镀膜设备腔体中取出石墨舟然后再将镀膜的硅片从石墨舟取下来。
目前PECVD设备中,主要采用自动化设备来实现石墨舟的自动装卸片,通过硅片传送机构将硅片传送到承载装置上,再通过机械手将存放硅片的承载装置插入石墨舟内;由于硅片传送机构的传送速度不稳定,甚至会出现暂停的情况,影响了整体设备的运动,设备的运行效率较低。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型提供了一种硅片上下料的缓存机构,该机构不因前后工序的暂时停止而影响设备整体的运行,提升了整机的运行效率。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种硅片上下料的缓存机构,其改进之处在于:包括缓存盒、第一固定座、伸缩杆以及驱动装置;
所述伸缩杆穿过于第一固定座,所述缓存盒固定在所述伸缩杆的顶端上,所述驱动装置用于驱动伸缩杆带动缓存盒往复运动;
所述的缓存盒包括第一横板、第一竖向板以及第二竖向板,所述伸缩杆的顶端固定在第一横板上;所述第一竖向板和第二竖向板的一端均垂直固定在第一横板上,且第一竖向板和第二竖向板相对的侧面上均设置有多个隔板,第一竖向板上相邻隔板的间隙与第二竖向板上相邻隔板的间隙之间用于插入硅片。
在上述的结构中,所述的驱动装置包括伺服电机、丝杆、丝杆螺母以及第二固定座;
所述丝杆的底端连接在伺服电机的输出轴上,丝杆的顶端转动安装在所述第一固定座上;所述的丝杆螺母设置于丝杆上,且该丝杆螺母固定在所述的第二固定座上,所述伺服电机用于驱动第二固定座往复运动;所述伸缩杆的底端固定在第二固定座上。
在上述的结构中,所述的驱动装置还包括导向杆和导套;
所述导向杆的顶端固定在所述的第一固定座上,导向杆的底端固定在所述的伺服电机上;所述的导向杆穿过于导套,且所述导套固定在第二固定座上。
在上述的结构中,所述的驱动装置还包括联轴器和第三固定座,所述丝杆的底端转动安装在第三固定座上,所述的联轴器用于将伺服电机的输出轴与丝杆的底端进行连接。
在上述的结构中,所述第一固定座和第三固定座上均设置有一光电开关,所述第二固定座的上、下表面上均对应的固定安装有一遮挡片。
在上述的结构中,所述硅片上下料的缓存机构还包括直线轴承,所述的伸缩杆从直线轴承中穿过,且直线轴承固定在所述的第一固定座上。
在上述的结构中,所述硅片上下料的缓存机构还包括安装板,所述的第一固定座固定在所述安装板上,所述伸缩杆穿过于安装板,所述驱动装置位于安装板下方。
本实用新型的有益效果是:本实用新型通过此种硅片上下料的缓存机构,高效的利用了硅片传送机构运送硅片,不会因为前后工序的暂时停止而影响整体设备的运行,提升了整机的运行效率,提高了设备的产能。
附图说明
图1为本实用新型的一种硅片上下料的缓存机构的立体结构示意图。
图2为本实用新型的一种硅片上下料的缓存机构的缓存盒的立体结构示意图。
图3为本实用新型的一种硅片上下料的缓存机构的具体实施例图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的