[实用新型]一种走廊照明用LED灯控制电路有效
申请号: | 201720832691.0 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN207166820U | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 王文建 | 申请(专利权)人: | 浙江商业职业技术学院 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 走廊 照明 led 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及照明技术领域,尤其涉及到走廊照明用LED灯控制电路。
背景技术
在宿舍走廊,灯的控制如果需要人为去控制,不能及时的去控制开关,浪费电能。这就需要根据走廊的明暗度控制是否灯亮,不需要人为去控制,这样可以节约用电,方便使用,经济实用。
发明内容
本实用新型旨在解决现有技术的不足,提供一种可根据走廊明暗度来控制LED灯关断,可以达到节约能源的目的。
一种走廊照明用LED灯控制电路,包括第一电容、第一电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第二电容、第二电阻、第三电阻、光敏电阻、第四电阻、第一NPN管、可控硅、LED灯和第三电容:
所述第一电容和所述第一电阻并联,一端接AC交流电输入电压,另一端接所述第一二极管的N极和所述第二二极管的P极;所述第一二极管的P极接地;所述第二二极管的N极接所述第四二极管的N极、所述第二电容的一端、所述第二电阻的一端、所述第三电阻的一端、所述第一NPN管的集电极和所述可控硅的P极;所述第三二极管的P极接地,N极接AC交流输入电压和所述第四二极管的P极;所述第二电容的另一端接地;所述第二电阻的另一端接地;所述第三电阻的另一端接所述光敏电阻的一端和所述第一NPN管的基极;所述光敏电阻的另一端接地;所述第一NPN管的发射极接所述第四电阻的一端和所述可控硅的控制极;所述第四电阻的另一端接地;所述可控硅的N极接所述LED灯的P极和所述第三电容的一端;所述LED灯的N极接地;所述第三电容的另一端接地。
本实用新型所达到的有益效果在于,根据走廊的明暗度来决定LED灯是否开启,不需要人为控制开关,方便使用,节约用电,经济实用。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型内容进一步说明。
一种走廊照明用LED灯控制电路,包括第一电容C1、第一电阻R1、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第二电容C2、第二电阻R2、第三电阻R3、光敏电阻R、第四电阻R4、第一NPN管Q1、可控硅SCR、LED灯和第三电容C3:
所述第一电容C1和所述第一电阻R1并联,一端接AC交流电输入电压,另一端接所述第一二极管D1的N极和所述第二二极管D2的P极;所述第一二极管D1的P极接地;所述第二二极管D2的N极接所述第四二极管D4的N极、所述第二电容C2的一端、所述第二电阻R2的一端、所述第三电阻R3的一端、所述第一NPN管Q1的集电极和所述可控硅SCR的P极;所述第三二极管D3的P极接地,N极接AC交流输入电压和所述第四二极管D4的P极;所述第二电容C2的另一端接地;所述第二电阻R2的另一端接地;所述第三电阻R3的另一端接所述光敏电阻R的一端和所述第一NPN管Q1的基极;所述光敏电阻R的另一端接地;所述第一NPN管Q1的发射极接所述第四电阻R4的一端和所述可控硅SCR的控制极;所述第四电阻R4的另一端接地;所述可控硅SCR的N极接所述LED灯的P极和所述第三电容C3的一端;所述LED灯的N极接地;所述第三电容C3的另一端接地。
所述第一电容C1和所述第一电阻R1组成阻容降压,分担电压,所述第一电阻R1是所述第一电容C1的电荷释放电阻;所述第一二极管D1、所述第二二极管D2、所述第三二极管D3和所述第四二极管D4组成整流桥;所述第二电容C2是滤波电容,同时也用来防止开灯时的冲击电流对LED灯的损害。
白天情况,所述光敏电阻只有10KΩ, 所述第一NPN管Q1的基极电压低而不导通,所述可控硅SCR的控制极没有电流,进而所述可控硅SCR不能导通,所述LED灯不亮;黑暗情况,所述光敏电阻可达到1MΩ,所述第一NPN管Q1导通,所述可控硅SCR导通,所述LED灯点亮。所述第三电容C3是为了在所述可控硅SCR导通瞬间减少对所述LED灯的冲击。
所采用的元件参数或型号为:第一电容C1参数为0.1uF/630V,第一电阻R1参数为1MΩ,第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4和第五二极管D5型号均为1N4007,第二电容C2参数为470uF/35V,第二电阻R2参数为1 MΩ,第三电阻R3参数为470KΩ,第四电阻R4参数为4.7KΩ,第一NPN管Q1型号为S8050,可控硅SCR型号为MCR100,光敏电阻可选明亮时为10KΩ、黑暗时为1MΩ,第三电容参数为4.7uF。
对上述所提供的实施方式的说明,仅是本实用新型的优选实施方式的说明,对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出,对于本技术领域的技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造,应视为本实用新型的保护范围。
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