[实用新型]一种电子产品的弹出式卡座的安装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及手机等电子产品配件，尤其涉及一种弹出式卡座。

背景技术

SIM卡是手机的一个必要部件，之前的SIM卡都安装在手机的后盖内，需要先打开后盖，再将SIM卡插入至SIM卡槽中。同样的手机及其他电子产品中用于存储用的SD卡也是相同的方式。但是随着用户的需求的改变，现有的SIM卡以及SD卡都是采用一个插针式卡座来盛装，安装及更换SIM卡或者SD卡时，需要先用插针将卡座顶出，然后再进行的操作，但是插针较小，而且极其不方便携带。

因此，如何设计一种可以不需要插针即弹出的卡座是业界系带解决的技术问题。

发明内容

本实用新型为了解决上述现有技术存在的技术问题，提供一种电子产品的弹出式卡座的安装结构，所述卡座的底面底部设有一杠杆，所述杠杆的中部通过支点与卡座铰接，所述杠杆的一端顶在卡座底部的中部，所述杠杆的另一端连接着一衔铁，所述衔铁在与杠杆的垂直方向上的一端安装有与卡座连接的弹簧，相对的另一端设有一电磁铁，所述电磁铁通过一控制电路与电源及开关连接。

在本技术方案中，所述控制电路包括电阻R1、R2、R3，N沟道增强型MOS管Q1、Q2，电池电源一路经电阻R2后连接至N沟道增强型MOS管Q1的D极，另一路经N沟道增强型MOS管Q2的D极后再自G极连接至N沟道增强型MOS管Q1的D极，1.8V电源经电阻R1后连接至N沟道增强型MOS管Q1的G极，N沟道增强型MOS管Q1的G极接收开关的控制信号，N沟道增强型MOS管Q1的S极接地，N沟道增强型MOS管Q2的S极经电阻R3连接电磁铁。所述1.8V电源由电源管理单元输出。所述电阻R3小于等于20欧姆。

优选的，所述电磁铁通过表面贴装技术安装在电子产品的主板上。

本实用新型结构简单，成本低廉，且操作非常方便，不需要随时携带相应的工具就可以取出细小的卡座，且该卡座可以适用于所有需要安装卡座的电子产品。

附图说明

图1是本实用新型一实施例的结构示意图。

图2是本实用新型控制电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进一步进行说明。

如图1所示，本实用新型的一实施例提出的电子产品的弹出式卡座的安装结构，包括卡座1、杠杆、弹簧2、衔铁6和电磁铁3，以及用于控制电磁铁3的控制电路、电源及开关（图中未示出）。

杠杆设置在卡座1的底面底部（卡座的正面用于安装SIM卡或SD卡等），杠杆的中部通过支点4与卡座1铰接，使得杠杆5的一端顶在卡座底部的中部，另一端则与衔铁6连接，衔铁6在与杠杆5的垂直方向上，也就是卡座1的侧边方向，安装着将衔铁与卡座1连接的弹簧2，与弹簧2的相对的另一端则安装着电磁铁3，电磁铁3可以通过表面贴装技术（SMT）安装在对应电子产品的主板上。

如图2所示，电磁铁3通过控制电路来连接电源和开关。控制电路包括电阻R1、R2、R3，N沟道增强型MOS管Q1、Q2。电池电源一路经电阻R2后连接至N沟道增强型MOS管Q1的D极，为N沟道增强型MOS管Q2提供合适的偏置电压，另一路经N沟道增强型MOS管Q2的D极后再自G极连接至N沟道增强型MOS管Q1的D极，电源管理单元（PMU）输出的1.8V电源经电阻R1后连接至N沟道增强型MOS管Q1的G极，为N沟道增强型MOS管Q1提供合适的偏置电压，N沟道增强型MOS管Q1的G极接收开关的控制信号，N沟道增强型MOS管Q1的S极接地，N沟道增强型MOS管Q2的S极经电阻R3连接电磁铁，R3一般为20欧姆内，用来调节线圈电流大小从而调节电磁铁与衔铁的吸力。

当开关启动，电子产品输出的信号为高电平，N沟道增强型MOS管Q1 VGS=1.8V,大于开启电压，N沟道增强型MOS管Q1导通，N沟道增强型MOS管Q2 栅极为低电平，N沟道增强型MOS管Q2导通,电流经VBAT流经电磁铁线圈产生电磁效应，将衔铁吸引至电磁铁处，杠杆一端随着衔铁围绕支点转动，位于卡座1底部的另一端顶起卡座1，卡座1弹出至电子产品壳体外。

当开关关闭，控制信号输出低电平（0V），N沟道增强型MOS管Q1 栅极(G)为0V，VGS=0V,小于NMOS开启电压，N沟道增强型MOS管Q1截止，阻值无穷大，PMOS管栅极-漏极电位几乎相同，N沟道增强型MOS管Q2 截止。

本实用新型卡座上的卡槽可以为SIM卡卡槽或SD卡卡槽，也可以为TF卡卡槽。本实用新型所指的电子产品则包括手机、平板电脑、笔记本、智能手表等需要安装卡座的所有电子产品。

以上的具体实施例仅用以举例说明本实用新型的构思，本领域的普通技术人员在本实用新型的构思下可以做出多种变形和变化，这些变形和变化均包括在本实用新型的保护范围之内。