[实用新型]管式PERC电池背镀膜石墨舟有效
申请号: | 201720830563.2 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN207338412U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 方结彬;何乃林;殷文杰;林纲正;赖俊文;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | perc 电池 镀膜 石墨 | ||
本实用新型公开了一种管式PERC电池背镀膜石墨舟,包括绝缘棒和数个单元舟片,所述单元舟片为片状体,相邻的单元舟片之间具有间隙,所述绝缘棒贯穿各单元舟片的周缘而将全部的单元舟片连接固定在一起,位于两外侧的单元舟片上的内表面为平整表面,平整表面上设有用于固定硅片的卡点;位于中间的单元舟片上设有若干通孔,所述通孔的外围设有用于固定硅片的卡点;硅片贴附在两外侧的单元舟片的内表面和中间的单元舟片的通孔上,并由卡点固定,且硅片的周缘遮挡通孔的周边区域。采用本实用新型,彻底消除石墨舟两外侧舟片上硅片正面的舟孔印,大幅度降低硅片正面的舟框印比例,从而降低管式PERC电池的返工率,提高电池的良率。
技术领域
本实用新型涉及PERC电池背镀膜设备领域,尤其涉及一种管式PERC电池背镀膜石墨舟。
背景技术
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结上,形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。
传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术,在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅,降低少子在前表面的复合速率,可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流,从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。
随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高,人们开始研究背钝化太阳电池技术。目前主流的做法是采用板式PECVD来对背面镀膜,板式PECVD由不同的腔室组成,每个腔室镀一层膜,一旦设备固定,复合膜的层数就已经固定,因此板式PECVD的缺点是不能灵活调节复合膜的组合,不能更好的优化背面膜的钝化效果,从而限制电池的光电转换效率。同时,板式PECVD使用的是间接等离子法,膜层的钝化效果不太理想。板式PECVD还具有uptime低,维护时间长的缺点,影响产能和产量。
本实用新型采用管式PECVD技术在硅片背面沉积复合膜,制作单面和双面管式PERC高效太阳能电池。由于管式PECVD技术采用的是直接等离子法,又可以灵活调节复合膜的组合和成分,膜层的钝化效果好,能大幅提升PERC太阳能电池的光电转换效率。管式PECVD技术的优秀钝化性能和工艺的灵活性还可以相对降低三氧化二铝膜层的厚度,减少TMA的耗量,同时,管式PERC技术容易维护,uptime高。综合以上多种因素,与板式PECVD技术相比,管式PECVD技术制作高效PERC电池有显著的综合成本优势。
在管式PERC电池生产过程中,PERC电池的总返工率在10%左右,远远高于常规太阳能电池的返工率,严重影响管式PERC电池的良率和成本。PERC电池的生产返工片主要集中在正面镀膜工序,其中舟孔印和舟框印的比例相当高,两者之和最高能达到5%以上。通过跟踪发现,舟孔印和舟框印是由PERC电池背面镀膜引起的,舟孔印是由石墨舟两外侧舟片上的3个细孔导致,舟框印也主要发生在石墨舟两外侧舟片上的硅片。
管式PECVD技术采用石墨舟装卸硅片,一般用于制备常规太阳能电池的正面膜,常规太阳能电池的背面没有钝化膜,在镀正膜过程中,硅片的背面与石墨舟接触,硅片背面的外观不良会被后续印刷的铝浆覆盖,因此,常规的石墨舟设计对于常规太阳能电池不会造成EL不良和外观不良,但是如果采用常规石墨舟制备管式PERC电池的背面钝化膜,却大幅度提高生产的返工率,影响产品良率。
如图1所示,常规石墨舟两外侧的单元舟片1上的内外表面上设有若干与硅片形状相同且其尺寸小于硅片尺寸的凹槽2,位于每个外侧单元舟片内外表面上的凹槽相对应,在凹槽的槽底面上设有贯通该对应凹槽的用于抽真空的3个细孔3。如果采用该常规设计制备管式PERC电池在背面镀膜,硅片的正面与凹槽周边的舟壁接触,并且面对3个细孔,在镀膜时,工艺气体会进入细孔,从而在硅片的正面形成3个舟孔印,工艺气体还会通过两外侧舟片上硅片与舟壁的缝隙进入凹槽,在硅片正面与凹槽接触的位置形成四条凹槽印,即舟框印。这些有舟孔印和舟框印的片子必须返工,否则做成成品电池会出现EL不良和外观不良。
实用新型内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的