[实用新型]一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置

权利要求书

1.一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置，其特征在于，包括温度采集单元(102)、A/D转换电路(103)、滤波电路(1042)、PID调节器(1044)、PWM信号发生器(105)、开关电路(106)、稳压电源电路(107)、功率MOS管(108)、加热模块(109)；

其中温度采集单元(102)设置在量子光学模块(101)的内部，温度采集单元(102)的输出端连接到A/D转换电路(103)的输入端，A/D转换电路(103)输出端连接到滤波电路(1042)的输入端，滤波电路(1042)的输出端连接到PID调节器(1044)，PID调节器(1044)的输出端连接PWM信号发生器(105)的输入端，PWM信号发生器(105)的输出端通过开关电路(106)连接到功率MOS管(108)的控制端，稳压电源电路(107)连接到功率MOS管(108)的输入端，功率MOS管(108)的输出端连接到加热模块(109)，所述加热模块(109)置于量子光学模块的底部。

2.根据权利要求1所述的一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置，其特征在于，所述滤波电路(1042)、PID调节器(1044)集成在可编程控制单元(104)中。

3.根据权利要求1所述的一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置，其特征在于，所述A/D转换电路(103)、滤波电路(1042)、PID调节器(1044)、PWM信号发生器(105)集成在可编程控制单元(104)中。

4.根据权利要求1所述的一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置，其特征在于，所述加热模块(109)与量子光学模块(101)采用共面结构。

5.根据权利要求4所述的一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置，其特征在于，所述加热模块(109)采用聚酰亚胺加热电阻膜。

6.根据权利要求5所述的一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置，其特征在于，所述加热电阻膜不与量子光学模块(101)接触的一面设置保温材料。

7.根据权利要求1所述的一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置，其特征在于，所述温度采集单元(102)包括热敏电阻、接头JP1、运算放大器、电阻R1、R3、R9及电容C1、C3、C7；

所述热敏电阻连接到接头JP1，接头JP1的引脚1接地，引脚2分别连接到电阻R9和电容C7的一端以及运算放大器的同相端，电阻R9的另一端接3.3V电源，电容C7的另一端接地，运算放大器的反相端通过并联的电容C1和电阻R1连接到运算放大器的输出端，运算放大器的电源端接3.3V电源，且运算放大器的电源端经过电容C3接地，运算放大器的输出端经过电阻R3连接到A/D转换电路(103)。

8.根据权利要求1所述的一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置，其特征在于，所述开关电路(106)包括电阻R15、电阻R16、电容C19以及MOS场效应管Q2，PWM信号发生器(105)的输出端通过电阻R15接MOS场效应管Q2的栅极，MOS场效应管Q2的栅极经过并联的电阻R16以及电容C19接地，MOS场效应管Q2的源极接地，MOS场效应管Q2的漏极接到功率MOS管(108)的控制端。

9.根据权利要求8所述的一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置，其特征在于，所述功率MOS管(108)采用IRF系列P沟道功率MOSFET。

10.根据权利要求8所述的一种基于脉冲宽度调制的量子光学模块温度控制装置，其特征在于，MOS场效应管Q2的漏极接到功率MOS管(108)的栅极，稳压电源电路(107)连接到功率MOS管(108)的源极，且稳压电源电路(107)通过电阻R14连接到功率MOS管(108)的栅极，功率MOS管(108)的漏极连接加热模块(109)。