[实用新型]过压保护电路有效
申请号: | 201720826731.0 | 申请日: | 2017-07-07 |
公开(公告)号: | CN207039165U | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 王鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市英蓓特科技有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)44314 | 代理人: | 张约宗,纪媛媛 |
地址: | 518054 广东省深圳市南山区桃源街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 | ||
1.一种过压保护电路,其特征在于,包括
电源输入端子(10),接入输入电压;
稳压电路(20),与所述电源输入端子(10)相连接,根据所述输入电压超过一过压阈值与否、选择性地将所述输入电压稳压,并输出一稳压信号;
过压开关电路(30),与所述稳压电路(20)相连接,根据所述稳压信号超过一导通阈值与否、选择性地进行导通,并发出一开关信号;
关断电路(40),与所述过压开关电路(30)相连接,根据所述开关信号超过一关断阈值与否、选择性地关断后端电路(50)。
2.根据权利要求1所述的过压保护电路,其特征在于,
所述稳压电路(20)包括相互串联的稳压管(D6)和限流电阻(R64),所述限流电阻(R64)一端连接所述稳压管(D6)负极,另一端连接所述电源输入端子(10)从而接入所述输入电压;所述稳压管(D6)正极接地;
所述过压开关电路(30)包括三极管(Q2),所述三极管(Q2)基极连接所述稳压管(D6)负极从而接入所述稳压信号,发射极连接电源,集电极接地;
所述关断电路(40)包括MOS管(Q1),所述MOS管(Q1)源极、栅极分别连接所述三极管(Q2)发射极、集电极并接入所述开关信号,所述MOS管(Q1)漏极连接所述后端电路(50)。
3.根据权利要求2所述的过压保护电路,其特征在于,所述稳压电路(20)还包括一并联在所述稳压管(D6)和所述限流电阻(R64)两端的耦合电容(C31)。
4.根据权利要求2所述的过压保护电路,其特征在于,所述过压开关电路(30)还包括第一电阻(R65),所述三极管(Q2)基极连接所述第一电阻(R65),并通过所述第一电阻(R65)连接所述稳压管(D6)负极,所述三极管(Q2)为PNP型三极管(Q2)。
5.根据权利要求2所述的过压保护电路,其特征在于,所述关断电路(40)还包括一偏置电阻(R66),所述偏置电阻(R66)一端连接所述MOS管(Q1)源极,另一端连接所述MOS管(Q1)栅极。
6.根据权利要求5所述的过压保护电路,其特征在于,所述关断电路(40)还包括一交流补偿电容(C32),所述交流补偿电容(C32)并联在所述偏置电阻(R66)两端。
7.根据权利要求6所述的过压保护电路,其特征在于,所述关断电路(40)还包括一防反灌开关管(D7),所述防反灌开关管(D7)正极连接所述三极管(Q2)集电极,负极连接所述MOS管(Q1)栅极。
8.根据权利要求7所述的过压保护电路,其特征在于,所述关断电路(40)还包括第二电阻(R69),所述MOS管(Q1)栅极通过所述第二电阻(R69)接地。
9.根据权利要求2-8任一项所述的过压保护电路,其特征在于,所述MOS管(Q1)包括两个源极、五个漏极,所述MOS管(Q1)为PMOS管。
10.根据权利要求2-8任一项所述的过压保护电路,其特征在于,所述关断电路(40)还包括一与所述MOS管(Q1)相连接、用于发散功耗的散热片。
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