[实用新型]具有沟槽结构的高容量硅电容器

权利要求书

1.具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，在硅基板(401)上蚀刻沟槽结构，所述的沟槽结构为“十字型”，所述沟槽结构的纵横比为(10-50):1；在所述沟槽结构上依次为沟槽绝缘层(402)、第1电极层(403)、第1介电层(404)、第2电极层(405)、第2介电层(406)、第3电极层(407)、第3介电层(408)、第4电极层(409)，第4电极层(409)上方为保护层(410)，所述的第1电极层(403)、第3电极层(407)通过外部端子种晶层A(413)连接外部端子A(414)，所述的第2电极层(405)、第4电极层(409)通过外部端子种晶层B(411)连接外部端子B(412)。

2.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述沟槽结构的硅柱子长(104)与硅柱子宽(103)的长度之比为2，相邻硅柱子间隔(105)与硅柱子宽(103)的长度相同。

3.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述沟槽结构的纵横比为30:1。

4.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述的沟槽结构的硅柱子宽(103)为0.5-10微米。

5.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述沟槽结构的硅柱子宽(103)为3微米。

6.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述的沟槽绝缘层(402)厚度小于1微米。

7.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述的第1电极层(403)、第2电极层(405)、第3电极层(407)、第4 电极层(409)厚度均小于1微米。

8.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述的外部端子种晶层A(413)、外部端子种晶层B(411)层厚度均小于1微米。

9.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述的保护层厚度为1-10微米。

10.如权利要求1所述的具有沟槽结构的高容量硅电容器，其特征在于，所述的第1介电层(404)、第2介电层(406)、第3介电层(408)厚度小于0.1微米。