[实用新型]一种耐侵润性池壁砖砂型有效
| 申请号: | 201720819866.4 | 申请日: | 2017-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN206854594U | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
| 发明(设计)人: | 王赛其;王赛强;李志杰;王玉峰;王玉亮;纪佳晨;沈建成;张爱兵;杨振龙 | 申请(专利权)人: | 浙江湖州父子岭耐火集团有限公司 |
| 主分类号: | B22C9/02 | 分类号: | B22C9/02 |
| 代理公司: | 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙)33217 | 代理人: | 项军 |
| 地址: | 313109 浙江省湖州市长兴县*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 耐侵润性池壁砖 砂型 | ||
技术领域
本实用新型涉及耐火砖技术领域,尤其是涉及一种耐侵润性池壁砖砂型。
背景技术
电熔锆刚玉耐火砖的生产工艺当中,需要将熔融金属液注入砂型模具中进行凝固成型,砂型模具的平整度、光洁度都会严重影响电熔锆刚玉产品的质量。由于非金属熔融料液的粘性低,容易对砂型产生侵蚀,砂型内部会析晶,导致砂型爆裂现象,进而影响耐火砖的生产质量。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术的不足,所要解决的技术问题是提供一种耐侵润性池壁砖砂型,其通过结构优化,具备良好的耐侵润性,减少析晶导致的砂型爆裂现象,延长砂型的使用寿命,提高耐火砖的生产质量。
本实用新型是通过以下技术方案使上述技术问题得以解决。
一种耐侵润性池壁砖砂型,包括砂型本体和冒口,砂型本体由外至里包括隔热层和碳化硅浇铸层,砂型本体内侧底部设置有耐浇铸料液冲击作用的碳化硅耐火层,同材质的碳化硅耐火层的气体孔隙率为碳化硅浇铸层气体孔隙率的1.1至2.5倍。
作为优选,碳化硅浇铸层的气体孔隙率为8%至12%,碳化硅耐火层的气体孔隙率为15%至20%。
作为优选,碳化硅浇铸层的气体孔隙率为10%,碳化硅耐火层的气体孔隙率为15%。
作为优选,碳化硅浇铸层的气体孔隙率为10%,碳化硅耐火层的气体孔隙率为20%。
作为优选,碳化硅浇铸层的气体孔隙率为8%,碳化硅耐火层的气体孔隙率为18%。
作为优选,隔热层和碳化硅浇铸层的厚度比为1:1.2至1:2。
作为优选,碳化硅浇铸层与碳化硅耐火层的厚度比为1:1至1:2.5。
本实用新型的有益效果:
1.碳化硅浇铸层的外侧设置有隔热层,可以增强保温性能,减缓散热效果,提高耐火砖凝固质量。
2.碳化硅耐火层和碳化硅浇铸层均为现有技术中的碳化硅耐火砖体,采用碳化硅与氧化铝复合材料的碳化硅耐火层的气体孔隙率,为同材质的碳化硅浇铸层气体孔隙率的1.1至2.5倍,使得砂型本体内侧底部作为浇铸料液的冲击部位具备优异的耐侵润性,从而大大的减少了析晶导致的砂型爆裂现象,有效的延长了砂型的使用寿命,并且,提高了耐火砖的生产质量。
3.通过结构优化,易于生产制作,提高了砂型的耐久度,延长了使用寿命,增加了企业的经济效益。
附图说明
结合以下附图旨在便于描述较佳实施例,并不构成对本实用新型保护范围的限制。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中:1-砂型本体,2-冒口,3-隔热层,4-碳化硅浇铸层,5-碳化硅耐火层。
具体实施方式
为了方便理解本实用新型,下面结合附图中给出的本实用新型的较佳的实施例对本实用新型进行详细的描述。
如图1所示的本实用新型一种耐侵润性池壁砖砂型,包括砂型本体1和冒口2,砂型本体1由外至里包括隔热层3和碳化硅浇铸层4,隔热层3和碳化硅浇铸层4可采用现有技术的耐火砖材质结构,特别是碳化硅浇铸层4采用常规技术的碳化硅耐火砖体,可以是碳化硅与氧化铝复合材料。砂型本体1内侧底部设置有耐浇铸料液冲击作用的碳化硅耐火层5,为了大幅度提高耐浸润性,使得碳化硅耐火层5的气体孔隙率为碳化硅浇铸层4气体孔隙率的1.1至2.5倍,进一步,碳化硅浇铸层4的气体孔隙率优选为8%至12%,碳化硅耐火层5的气体孔隙率优选为15%至20%,这样,能够大大的减少析晶导致的砂型爆裂现象,有效的延长了砂型的使用寿命。根据浇铸生产耐火砖的实际情况,隔热层3和碳化硅浇铸层4的厚度比优选为1:1.2至1:2,碳化硅浇铸层4与碳化硅耐火层5的厚度比优选为1:1至1:2.5。
实施例1:碳化硅浇铸层4的气体孔隙率为10%,碳化硅耐火层5的气体孔隙率为15%。
实施例2:碳化硅浇铸层4的气体孔隙率为10%,碳化硅耐火层5的气体孔隙率为20%。
实施例3:碳化硅浇铸层4的气体孔隙率为8%,碳化硅耐火层5的气体孔隙率为18%。
本实用新型所使用的若干技术术语仅仅是为了便于描述,并不构成对本实用新型的限制,本实用新型不局限于以上所述的较佳的实施方式,基于本技术领域的技术人员所能够获知的公知技术或者采用现有技术中所能够等效替换的各种变形及更改的实施方式,凡是基于本实用新型的精神或者技术构思,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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