[实用新型]具窄发光角度和高光强度的发光二极管结构有效
| 申请号: | 201720818532.5 | 申请日: | 2017-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN207134378U | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
| 发明(设计)人: | 项嵩仁 | 申请(专利权)人: | 诚盟电科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 | 代理人: | 朱丽华,程凤儒 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 角度 强度 发光二极管 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED技术领域,特别是涉及一种具窄发光角度和高光强度的发光二极管结构。
背景技术
LED支架的作用是作为晶片的承载体,兼具导电和散热作用,是LED器件不可或缺的关键辅料。
传统塑胶电极晶片载体(Plastic Leaded Chip Carrier,PLCC)LED支架结构大致包括一支架和一设置在支架上的反光杯,反光杯的底部安装有LED晶粒。反光杯的杯身内壁一般为斜面,LED晶粒发出的光通过杯身内壁反射,成为发光角度大于120度的散发型光场。若要缩小发光角度或使散发型光场改变为聚光型光场,则需在反光杯上外加光学透镜,将原有散发型光场通过光学透镜聚焦成为聚光型光场。然而此作法会使得发光元件的整体体积变大,其应用空间和应用场合将受到限制。
实用新型内容
本实用新型的目的是在提供一种具窄发光角度和高光强度的发光二极管结构,无需使用光学透镜,通过改变反光杯焦距深度的结构来改变LED发光角度和光强度。
为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种具窄发光角度和高光强度的发光二极管结构,包含:一光杯,该光杯的杯底具有承载一LED晶粒的焦距调整槽,该焦距调整槽的深度与该LED晶粒厚度的比例范围为1∶4至2∶3。
一种具窄发光角度和高光强度的发光二极管结构,包含:一光杯,该光杯的杯底具有承载一LED晶粒的焦距调整槽,该焦距调整槽的深度与该焦距调整槽的直径的比例范围为1∶12至1∶5。
较佳的,该光杯及该焦距调整槽均为该发光二极管结构的正极,该LED晶粒以导电胶结合于该焦距调整槽。
较佳的,该发光二极管结构还包含一负极,该正极和该负极之间以无极性结构连接,该LED晶粒以一导线连接于该负极。
较佳的,该发光二极管结构还包含一容纳该导线的导线槽。
本实用新型的功效在于:
本实用新型在不改变光杯尺寸的基础上,通过调整该焦距调整槽的深度而改变LED晶粒通过该光杯所产生的光场的发光角度和光强度,据此达到提高光强度及缩小发光角度的目的。
本实用新型无需使用光学透镜,可大幅缩小发光元件的体积,减少应用空间和应用场合的限制性。
附图说明
图1为本实用新型的立体外观图。
图2为本实用新型的俯视图。
图3为本实用新型的第一实施例的剖面图。
图4为本实用新型的第二实施例的剖面图。
图5为本实用新型的第三实施例的剖面图。
图6为本实用新型的第一、二、三实施例的发光角度图表。
图7为本实用新型的第一、二、三实施例的光强度图表。
具体实施方式
为便于说明上述新型内容一栏中所表示的中心思想,兹以具体实施例表达。实施例中各种不同物件是按适于说明的比例、尺寸、变形量或位移量而描绘,而非按实际元件的比例予以绘制,事先声明。
如图1-3所示,本实用新型公开一种具窄发光角度和高光强度的发光二极管结构,该发光二极管结构1包含:一光杯2,该光杯2的杯底具有承载一LED晶粒3的一焦距调整槽5,焦距调整槽5的深度F与LED晶粒3厚度T比例范围为1∶4至2∶3,或者,焦距调整槽5的深度T与焦距调整槽5的直径D的比例范围为1∶12至1∶5。焦距调整槽5的深度F与LED晶粒3通过光杯2所产生的光场的发光角度成反比,与光场的光强度成正比。光杯2及焦距调整槽5均为发光二极管结构1的正极11,该LED晶粒3以导电胶(图未示)结合于焦距调整槽5的槽底;发光二极管结构1还包含负极12,正极11和负极12之间以无极性结构13连接,LED晶粒3以一导线4连接于负极12。发光二极管结构1还包含一容纳导线4的导线槽6。
如图2及表一所示,表一是在相同光杯尺寸下设计三种焦距调整槽5的深度F,所述的光杯尺寸包括焦距调整槽5的直径D1、光杯的杯底直径D2,以及光杯的开口直径D3。其中,D1=0.7mm,D2=0.82mm,D3=1.61mm。如图3所示,第一实施例的F=0.06mm。如图4所示,第二实施例的F=0.12mm。如图5所示,第三实施例的F=0.16mm。
表一
通过上述的尺寸揭露,可以推知焦距调整槽5的深度T与焦距调整槽5的直径D的比例范围为1∶12至1∶5。或者,从图3-5所表现的焦距调整槽5的深度F与LED晶粒3厚度T比例范围为1∶4至2∶3。
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