[实用新型]二极管有效

专利信息
申请号: 201720814136.5 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN206864478U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 张成刚 申请(专利权)人: 深圳市美丽微半导体有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L23/367;H01L23/49
代理公司: 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙)44394 代理人: 夏龙
地址: 518000 广东省深圳市龙华新区龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 二极管
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及半导体电子元件技术领域,具体地说,涉及一种二极管。

背景技术

随着社会科技的发展,电子产品已然成为人们日常生活的必需品。而电子产品是由各种各样的电子元器件连接组装而成。其中二极管就是一种比较常见的电子元器件,其正向导通的特性,广泛运用于各种电路。

通常电子元器件在电路使用过程中都会出现发热状况,但由于二极管的核心部件是半导体晶片,当温度升高时,二极管的稳定电压相对会发生剧烈的变化。与此同时温度的升高还会影响到二极管正向导通的特性,使反向电流大大增加,严重的会影响到整个电路的稳定性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种散热性良好、稳定性高的二极管。

本实用新型公开的二极管所采用的技术方案是:

一种二极管,包括晶片,所述晶片为十字结构,所述晶片包括一端的P区和相对所述P区另一端的N区,所述P区表面设有第一焊盘,所述第一焊盘设有第一引脚,所述N区表面设有第二焊盘,所述第二焊盘设有第二引脚,所述晶片、第一焊盘和第二焊盘封装于封装体内,所述封装体包括环绕P区的第一环形沟槽和环绕N区的第二环形沟槽,所述第一环形沟槽和所述第二环形沟槽的槽底设有第一散热涂层。

作为优选方案,所述晶片包括相对的上表面和下表面,所述第一焊盘设于晶片P区上表面,所述第二焊盘设于晶片N区下表面。

作为优选方案,所述第一引脚包括与第一焊盘连接的第一焊接区、裸露于封装体外的第一裸露区和第一连接区,所述第一连接区连接所述第一焊接区和所述第一裸露区,所述第一焊接区和所述第一连接区设于封装体内部。

作为优选方案,所述第二引脚包括与第二焊盘连接的第二焊接区、裸露于封装体外的第二裸露区和第二连接区,所述第二连接区连接所述第二焊接区和所述第二裸露区,所述第二焊接区和所述第二连接区设于封装体内部。

作为优选方案,所述封装体为圆柱体。

作为优选方案,所述第一环形沟槽和所述第二环形沟槽开设于所述封装体的长度延伸方向上,所述第一环形沟槽与所述第二环形沟槽相互平行。

作为优选方案,所述第一环形沟槽和所述第二环形沟槽还包括靠近所述晶体的侧壁,所述侧壁上设有第二散热涂层。

作为优选方案,所述封装体的材料为环氧树脂。

本实用新型公开的二极管的有益效果是:晶体片为十字结构增大散热面积,带有散热涂层的环形沟槽配合晶体片的十字结构,使热量散发的速率加快,且沟槽设计节省了封装体材料。引脚平行焊接于焊盘之上,是以线式连接,比传统的点式连接更佳稳定。

附图说明

图1是本实用新型二极管的结构示意图;

图2是本实用新型内部连接侧视图;

图3是本实用新型第一引脚的结构示意图;

图4是本实用新型第二引脚的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例和说明书附图对本实用新型做进一步阐述和说明:

请参考图1、图2、图3和图4,一种二极管,包括晶片10,所述晶片10为十字结构,增大散热面积,使散热速率加快。所述晶片10包括一端的P区11和相对所述P区11另一端的N区12,所述P区11表面设有第一焊盘20,所述第一焊盘20设有第一引脚40,所述N区12表面设有第二焊盘30,所述第二焊盘30设有第二引脚50。所述晶片10、第一焊盘20和第二焊盘30封装于环氧树脂圆柱封装体60内。所述封装体60包括环绕P区11的第一环形沟槽61和环绕N区12的第二环形沟槽62,所述第一环形沟槽61和所述第二环形沟槽62开设于所述封装体60的长度延伸方向上,所述第一环形沟槽61与第二环形沟槽62相互平行,封装体60配合晶片10结构相应扩大散热面积,加快散热速率。所述第一环形沟槽61和所述第二环形沟槽62的槽底设有第一散热涂层70,所述第一环形沟槽61和所述第二环形沟槽62还包括靠近所述晶体10的侧壁,所述侧壁上设有第二散热涂层80,针对晶体10的结构,在有效散热区域加设散热涂层可以进一步提升散热速率。

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