[实用新型]NANDFlash数据保护电路有效

专利信息
申请号: 201720812670.2 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN207182913U 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 郭坚湖 申请(专利权)人: 深圳市英蓓特科技有限公司
主分类号: G11C16/22 分类号: G11C16/22
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)44314 代理人: 纪媛媛,帅茜
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃源街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: nandflash 数据 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种NAND Flash数据保护电路,其特征在于,包括

第一保护单元(10),接入数据信号并输出第一保护信号;

第二保护单元(20),接入一电源启动信号并输出第二保护信号,且所述第二保护单元(20)和所述第一保护单元(10)构成逻辑与关系;

上拉下拉单元(30),分别与所述第一保护单元(10)和所述第二保护单元(20)相连接,所述上拉下拉单元(30)根据所述第一保护信号和所述第二保护信号向NAND Flash电路的写保护端口(50)输出数据保护信号。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一保护单元(10)包括第一二极管(D1)和第一上拉电阻(R71),所述第一二极管(D1)负极连接所述数据信号从而接入所述数据信号,所述第一二极管(D1)正极连接所述上拉下拉单元(30),从而输出所述第一保护信号;所述第一上拉电阻(R71)一端连接电源,另一端连接所述第一二极管(D1)负极;

所述第二保护单元(20)包括第二二极管(D2)和第二上拉电阻(R72),所述第二二极管(D2)负极连接所述电源启动信号从而接入所述电源启动信号,正极连接所述上拉下拉单元(30),从而输出所述第二保护信号;所述第二上拉电阻(R72)一端连接电源,另一端连接所述第二二极管(D2)负极。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述上拉下拉单元(30)包括总上拉电阻(R52)和下拉电阻(R58),所述总上拉电阻(R52)一端连接电源,另一端连接所述下拉电阻(R58);所述下拉电阻(R58)一端连接所述总上拉电阻(R52),另一端接地;所述总上拉电阻(R52)和下拉电阻(R58)的连接点连接所述第一二极管(D1)的正极和所述第二二极管(D2) 的正极,从而接入所述第一保护信号和所述第二保护信号;所述连接点还连接所述写保护端口(50),从而将所述数据保护信号接出至所述写保护端口(50)。

4.根据权利要求2或3所述的电路,其特征在于,所述第一保护单元(10)还包括并联在所述第一二极管(D1)上的第一预留电阻。

5.根据权利要求2或3所述的电路,其特征在于,所述第二保护单元(20)还包括并联在所述第二二极管(D2)上的第二预留电阻。

6.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一保护单元(10)和所述第二保护单元(20)构成数字与门。

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