[实用新型]扇出型系统级封装结构

权利要求书

1.一种扇出型系统级封装结构，其特征在于，所述扇出型系统级封装结构包括：

重新布线层；

屏蔽框，位于所述重新布线层的上表面，于所述重新布线层的上表面分割形成天线设置区域及若干个芯片键合区域；

半导体芯片，键合于对应于所述芯片键合区域的重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；

天线控制芯片，键合于对应于所述天线设置区域的重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；

塑封层，填满所述屏蔽框、所述半导体芯片及所述天线控制芯片之间的间隙，并将所述屏蔽框、所述半导体芯片及所述天线控制芯片塑封；所述屏蔽框的上表面与所述塑封层的上表面相平齐；

天线结构，位于对应于所述天线设置区域的塑封层内及塑封层的上表面；

屏蔽盖，位于所述塑封层的上表面及所述屏蔽框的上表面，且完全覆盖所述芯片键合区域，以将所述半导体芯片封盖于所述屏蔽框内；

焊料凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：

电介质层；

金属线层，位于所述电介质层内，且所述金属线层的上表面与所述电介质层的上表面相平齐，所述金属线层的下表面与所述电介质层的下表面相平齐。

3.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：

电介质层；

金属叠层结构，位于所述电介质层内；所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻两层所述金属线层之间，以将相邻两层所述金属线层电连接。

4.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于，所述屏蔽框为金属屏蔽框，所述屏蔽盖为金属屏蔽盖。

5.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于，所述塑封层包括聚酰亚胺层、硅胶层、环氧树脂层、可固化的聚合物基材料层或可固化的树脂基材料层。

6.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于，所述天线结构包括：

连接柱，位于对应于所述天线设置区域的塑封层内，所述连接柱的底部与所述重新布线层电连接；

天线，位于对应于所述天线设置区域的塑封层的上表面，所述天线经由所述连接柱与所述重新布线层电连接。

7.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于，所述焊料凸块包括：

金属柱，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接；

焊球，位于所述金属柱的下表面。

8.根据权利要求1所述的扇出型系统级封装结构，其特征在于，所述焊料凸块为焊球。