[实用新型]具有信号校准装置的闪存控制器

说明书

技术领域

本申请涉及存储技术领域，尤其涉及包括信号校准装置的闪存控制器。

背景技术

ONFI、TOGGLE等接口标准定义操作NAND闪存的方式。在操作NAND闪存时，需要调整采样信号相对于DQ信号的采样窗口，在合适的时机对DQ信号进行采样，以获取理想的数据。在ONFI、TOGGLE等接口标准定义中还定义了DQS、CLK等用于访问NAND闪存的信号。

在向NAND闪存发送编程命令时，闪存控制器向NAND闪存提供DQS信号和DQ信号。闪存控制器需要调整DQS信号的相位，使得DQ信号在DQS信号发生跳变时出现且稳定状态。DQS信号和DS信号之间的理想相位差为1T/4(T是DQS信号的周期)。

在向NAND闪存发送读命令时，NAND闪存向闪存控制器提供DQS与DQ信号。一些情况下，NAND闪存提供的DQS与DQ信号相位相同，闪存控制器需将DQS信号延迟，以使得DQS信号发生跳变时，DQ信号出现且稳定状态。用于读数据的DQS信号与DS信号之间的理想相位差为1T/4。

实用新型内容

由于集成电路工艺、工作温度、工作电压的变化，DQS信号与DS信号的相位差也发生变化，在闪存控制器中需要跟踪DQ信号的理想采样位置。

闪存控制器可包括多个闪存通道，每个闪存通道提供各自的DQS/CLK信号并连接到各自闪存通道上的闪存芯片。对耦合每个闪存芯片的DQS/CLK信号进行独立的校准值获取，增加了校准过程所需时间，也增加了对闪存通道的占用。

本申请提供闪存控制器，以解决现有技术中存在的一个或多个问题。

根据本申请的第一方面，提供了根据本申请第一方面的第一闪存控制器，包括第一校准装置、映射装置和至少一个第二校准装置；第一校准装置对耦合到闪存芯片的第一信号进行校准；第一校准装置输出用于校准第一信号的第一校准值；映射装置将第一校准值映射为第二校准值；以及第二校准装置利用第二校准值对耦合到闪存芯片的第二信号进行校准。

根据本申请的第一方面的第一闪存控制器，提供了根据本申请第一方面的第二闪存控制器，其中，第一校准装置耦合到映射装置，以向映射装置提供第一校准值；第二校准装置耦合到映射装置，以从映射装置获取第二校准值。

根据本申请的第一方面的第一或第二闪存控制器，提供了根据本申请第一方面的第三闪存控制器，其中，映射装置对第一校准值进行线性变换得到第二校准值；或者映射装置通过以第一校准值为索引查询查找表得到第二校准值。

根据本申请的第一方面的第一至第三闪存控制器之一，提供了根据本申请第一方面的第四闪存控制器，其中，闪存控制器还包括第三校准装置；映射装置将第一校准值映射为第三校准值；以及第三校准装置利用第三校准值对耦合到闪存芯片的第三信号进行校准。

根据本申请的第一方面的第一至第四闪存控制器之一，提供了根据本申请第一方面的第五闪存控制器，其中，第一信号是用于访问闪存芯片的DQS信号；以及第二信号是用于访问闪存芯片的CLK信号。

根据本申请的第一方面的第一至第五闪存控制器之一，提供了根据本申请第一方面的第六闪存控制器，其中，第一校准装置包括第一校准控制器、D触发器和串联的第一延迟线与第二延迟线；第一信号耦合到第一延迟线的输入端；第一校准控制器选择第一延迟线与第二延迟线的抽头；第二延迟线的输出端与D触发器的输入端耦合，D触发器的时钟端与第一信号相耦合，D触发器的输出端耦合到第一校准控制器。

根据本申请的第一方面的第六闪存控制器，提供了根据本申请第一方面的第七闪存控制器，其中，第一校准控制器响应于D触发器的输出翻转而基于所选择的第一延迟线与第二延迟线的抽头生成第一校准值。

根据本申请的第一方面的第六或第七闪存控制器，提供了根据本申请第一方面的第八闪存控制器，其中，第一延迟线的输出作为第一校准装置的输出。

根据本申请的第一方面的第六至第八闪存控制器之一，提供了根据本申请第一方面的第九闪存控制器，其中，第一校准装置还包括第三延迟线，第三延迟线的输入端与第一信号耦合，第一校准控制器选择第三延迟线的抽头；第三延迟线的输出作为第一校准装置的输出。

根据本申请的第一方面的第一至第九闪存控制器之一，提供了根据本申请第一方面的第十闪存控制器，其中，第二校准装置包括第二校准控制器和第四延迟线，第二信号耦合到第四延迟线的输入端；第二校准控制器选择第四延迟线的抽头，第四延迟线的输出端作为第二校准控制器的输出。