[实用新型]一种温场可调的碳化硅晶体生长炉有效
| 申请号： | 201720786632.4 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN207109157U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 宗艳民;李长进 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可调 碳化硅 晶体生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种温场可调的碳化硅晶体生长炉，包括炉体(1)和上炉盖(2)以及下炉盖(3)，炉体(1)内设有坩埚(4)，坩埚(4)上方设有籽晶轴(5)，其特征在于：上炉盖(2)上设有观察窗(6)，观察窗(6)上设有冷却夹套(7)，冷却夹套(7)上设有气体进口(8)和气体出口(9)；上炉盖(2)、下炉盖(3)以及炉体(1)的内壁均设有反射层(10)；坩埚(4)外部设有首尾连接的上加热体(11)、侧加热体(12)和下加热体(13)，所述的上加热体(11)、侧加热体(12)和下加热体(13)均连接有汽缸(14)。
2.根据权利要求1所述的一种温场可调的碳化硅晶体生长炉，其特征在于：所述的气体出口(9)位于炉体(1)内部。
3.根据权利要求1所述的一种温场可调的碳化硅晶体生长炉，其特征在于：所述的籽晶轴(5)粘贴籽晶的面上设有凹槽(16)。
4.根据权利要求1所述的一种温场可调的碳化硅晶体生长炉，其特征在于：所述的观察窗(6)上设有滤光片(17)。
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