[实用新型]蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板

说明书

技术领域

本实用新型涉及蓝宝石炉用设备技术领域，特别是一种符合两个方向热场温度曲线的梯度变化、两个方向都有弧度变化、益于晶体生长的蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板。

背景技术

蓝宝石晶体具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性，强度高、硬度大、耐腐蚀，可在接近2000℃高温的恶劣条件下工作，因而得到广泛的应用。是半导体发光二极管(LED)，大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等最为理想的衬底材料。

蓝宝石单晶生长炉行业，国内导模法模具都是板与板组成模具组合，由于对热场温度曲线的认识差异，基本上都是单弧度，也就是只有一个方向有随着温度曲线变化的拟合弧度，另一个方向是没有进行温度曲线拟合的弧度。这样的模具设计并不能客观反映热场温度的梯度变化。为充分考虑到X、Y两个方向热场温度曲线的梯度变化，需要一种符合两个方向热场温度曲线的梯度变化、两个方向都有弧度变化、益于晶体生长的蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种符合两个方向热场温度曲线的梯度变化、两个方向都有弧度变化、益于晶体生长的蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板。

蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板，包括：

底座，所述底座和引晶面为一体，所述引晶面横向和纵向分别为内凹形，上部设有斜向面，所述斜向面的底部和另一斜向面的底部相连，并形成内凹槽，所述斜向面的顶部和另一斜向面的顶部之间设有条形槽，所述引晶面两侧分别为斜向面的底部，并与底座的纵向侧面共面。

所述底座的底部为底座卡，沿底座的纵向分布。

所述底座的两侧面与引晶面的接触处设有边卡，所述边卡向外突出。

所述底座为长方体。

所述条形槽的底部位于底座的上方，各条形槽的底部共面。

本实用新型底座和引晶面为一体，引晶面横向和纵向分别为内凹形，上部设有斜向面，斜向面的底部和另一斜向面的底部相连，并形成内凹槽，斜向面的顶部和另一斜向面的顶部之间设有条形槽，引晶面两侧分别为斜向面的底部，并与底座的纵向侧面共面。模具引晶面都是单一X方向有温度拟合弧度，而本实用新型引晶面X、Y两个方向都有拟合弧度。热场的引晶面具有双弧面，更契合热场的温度分布，更益于晶体的种晶和生长。本实用新型符合两个方向热场温度曲线的梯度变化、两个方向都有弧度变化、益于晶体生长。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图中：1、底座，2、引晶面，3、斜向面，4、条形槽，5、底座卡，6、边卡。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本实用新型做进一步说明。

实施例1：

蓝宝石单晶生长炉用双弧面引晶板，包括：底座1，底座1和引晶面2为一体，引晶面2横向和纵向分别为内凹形，上部设有斜向面3，斜向面3的底部和另一斜向面3的底部相连，并形成内凹槽，斜向面3的顶部和另一斜向面3的顶部之间设有条形槽4，引晶面2两侧分别为斜向面3的底部，并与底座1的纵向侧面共面。

底座1的底部为底座卡5，沿底座1的纵向分布。底座1的两侧面与引晶面2的接触处设有边卡6，边卡6向外突出。底座1为长方体。条形槽4的底部位于底座1的上方，各条形槽4的底部共面。

模具引晶面都是单一X方向有温度拟合弧度，而本实用新型引晶面X、Y两个方向都有拟合弧度。热场的引晶面具有双弧面，更契合热场的温度分布，更益于晶体的种晶和生长。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。