[实用新型]一种基于M51995A过流保护电路有效

专利信息
申请号: 201720778258.3 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN206865133U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 代严满;陈恒;胡宗华;窦洋洋;戴文鹏;雷猛超 申请(专利权)人: 西京学院
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所61215 代理人: 何会侠
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 m51995a 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种基于M51995A过流保护电路,包括MOS管驱动芯片U1,其特征在于,MOS管驱动芯片U1的引脚19端连接电阻R1的一端和二极管D1的正极,电阻R1的另一端连接GND,二极管D1的负极连接二极管D2的负极、电容C1的一端和电阻R2的一端;二极管D2的正极、电容C1的另一端分别连接GND,电阻R2的另一端连接电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接电感L1的一端,电感L1的另一端连接GND;MOS管驱动芯片U1的引脚18端连接电阻R4、电阻R5和电容C2的一端,电阻R4、电阻R5和电容C2的另一段分别连接GND。

2.根据权利要求1所述的一种基于M51995A过流保护电路,其特征在于,所述的MOS管驱动芯片U1采用M51995A。

3.根据权利要求1所述的一种基于M51995A过流保护电路,其特征在于,所述的二极管D1与二极管D2均采用的型号1N4148。

4.根据权利要求1所述的一种基于M51995A过流保护电路,其特征在于,所述的电阻R1=100Ω,R=22.2KΩ,R3=47kΩ,R4=100Ω,R5=100Ω;电容C1=10μF,C2=0.1μF;电感L1=10mH。

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