[实用新型]一种多彩压铸手机壳有效

专利信息
申请号: 201720777983.9 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN207117690U 公开(公告)日: 2018-03-16
发明(设计)人: 赵汉高 申请(专利权)人: 东莞仁海科技股份有限公司
主分类号: H04M1/02 分类号: H04M1/02;H04M1/18
代理公司: 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙)44412 代理人: 潘婷婷
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 多彩 压铸 机壳
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及手机壳技术领域,特别是涉及一种多彩压铸手机壳。

背景技术

目前,手机外壳常用塑胶材料主要有PC、ABS和PC+ABS三大类。除了采用工程塑料作为手机外壳的主要材料以外,金属也被引入到了手机的外壳当中。通常金属材质的手机外壳通常以铝合金、锌合金、镁合金为主。

在现有的手机壳中,基本都是通过加工设备铣切而成,这样一来,制造成本较高,同时也容易变形,导致使用寿命短;而另一种采用合金金属制成的手机壳,往往还需要进行后期处理,从而提高产品的外观美感以及使用寿命,而现有技术中对于采用铝合金、锌合金、镁合金制成的手机壳后期处理后,无法取得美观及延长使用寿命的效果

实用新型内容

为解决上述问题,本实用新型提供一种的手机壳通过压铸成型,并在手机壳上设置了镀铝层,便于在对其表面处理时与一体成型加工而成的更好,具有高强的使用强度,提高产品质量,提高表面的美观效果,同时具有良好的耐老化效果,提高使用寿命的压铸手机壳。

本实用新型所采用的技术方案是:

一种多彩压铸手机壳,包括压铸成型的手机壳体,所述手机壳体设有用于容纳电路的容纳腔,所述容纳腔设有若干定位条,所述定位条设有齿条,所述容纳腔对应安装手机处设有若干固定条,所述手机壳体外表面设有弧角;所述手机壳体外表面设有镀铝层,所述镀铝层外表面为阳极化表面。

对上述方案的进一步改进为,所述手机壳体为铝合金、锌合金、镁合金当中的一种。

对上述方案的进一步改进为,所述镀铝层为采用水电镀、真空镀、PVD、CVD当中的一种镀铝方式设置于手机壳体外表面的镀铝层。

对上述方案的进一步改进为,所述镀铝层的外表面可进行喷砂阳极、硬化阳极、雾化阳极当中的一种处理。

对上述方案的进一步改进为,所述镀铝层厚度范围在0.03~0.15mm。

本实用新型的有益效果为:

1、一种多彩压铸手机壳,第一方面,设有压铸成型的手机壳体,通过压铸成型,制造成本低,成型效果好;第二方面,所述手机壳体设有用于容纳电路的容纳腔,通过容纳腔容纳安置电路,安装方便,所述容纳腔设有若干定位条,通过定位条对电路的位置进行定位安装,定位效果好,所述定位条设有齿条,通过齿条将电路芯体起到卡合效果,提高对电路的固定效果,所述容纳腔便于处设有若干固定条,通过固定条将电路板固定,固定效果好,便于安装,所述手机壳体外表面均设有弧角,通过弧角能够有效的提高手机壳体握持的舒适感,提高使用效果;所述手机壳体外表面均设有镀铝层,通过镀铝层能够有效的提手机壳体的使用强度,提高手机壳体的产品质量,所述镀铝层外表面为阳极化表面,通过阳极化表面能够有效的提高手机壳体的表面美观效果,同时阳极化表面具有良好的耐老化效果,提高使用寿命;本实用新型中通过压铸成型的手机壳,并在手机壳上设置了镀铝层,便于在对其表面处理时与一体成型加工而成的更好,具有高强的使用强度,提高产品质量,提高表面的美观效果,同时具有良好的耐老化效果,提高使用寿命。

2、所述手机壳体为铝合金、锌合金、镁合金当中的一种,铝合金密度低,但强度比较高,接近或超过优质钢,塑性好,可加工成各种型材,具有优良的导电性、导热性和抗蚀性,工业上广泛使用,其使用强度仅次于钢;锌合金的主要添加元素有铝,铜和镁等,锌合金按加工工艺可分为形变与铸造锌合金两类,铸造锌合金流动性和耐腐蚀性较好,适用于压铸零件;镁合金的比重虽然比塑料重,但是,单位重量的强度和弹性率比塑料高,所以,在同样的强度零部件的情况下,镁合金的零部件能做得比塑料的薄而且轻。

3、所述镀铝层通过水电镀、真空镀、PVD、CVD当中的一种设置于手机壳体外表面;水电镀是针对各种本体和镀层的需要,配不同的专用“水镀”液,被镀件在室温(15~40℃)下,置于水镀液中,作轻微晃动,在较短的时间内即可完成;真空镀是指在高真空下,通过金属细丝的蒸发和凝结,使金属薄层附著在塑胶或金属表面;真空镀过程中金属(最常用的铝)的熔融,蒸发仅需几秒钟,整个周期一般不超过15s,效率高;PVD是指在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上;CVD是指在反应室内,气态反应物经化学反应生成固态物质并淀积在硅片表面的薄膜淀积技术。

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