[实用新型]一种高压器件工作在低电压下的全差分低功耗比较器

权利要求书

1.一种高压器件工作在低电压下的全差分低功耗比较器，其特征在于，包括有前置全差分放大器、限流反相器和再生正反馈锁存器，其中：

所述前置全差分放大器包括有第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一PMOS管的发射极、第二PMOS管的发射极、第三PMOS管的发射极和第四PMOS管的发射极均连接于高电位，所述第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极和第四PMOS管的栅极相连接后作为前置全差分放大器的第一输出端，所述第一PMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极和第三PMOS管的栅极相连接后作为前置全差分放大器的第二输出端，所述第二NMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极均连接于前置全差分放大器的第一输出端，所述第一NMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极均连接于前置全差分放大器的第二输出端，所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极分别用于接收输入电压信号，所述第三NMOS管的栅极和第四NMOS管的栅极分别用于接入参考电压信号，所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极均连接于低电位；

所述限流反相器连接于前置全差分放大器的第一输出端和第二输出端，所述限流反相器用于对前置全差分放大器的输出信号进行二级放大；

所述再生正反馈锁存器连接于限流反相器的第一输出端和第二输出端，所述再生正反馈锁存器用于将限流反相器输出的模拟信号转换为数字信号。

2.如权利要求1所述的高压器件工作在低电压下的全差分低功耗比较器，其特征在于，所述前置全差分放大器还包括有第一限流NMOS管和第二限流NMOS管，所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均连接于第一限流NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极均连接于第二限流NMOS管的漏极，所述第一限流NMOS管的源极和第二限流NMOS管的源极均连接于低电位，所述第一限流NMOS管的栅极和第二限流NMOS管的栅极均用于接入限流控制信号。

3.如权利要求1所述的高压器件工作在低电压下的全差分低功耗比较器，其特征在于，所述限流反相器包括有第五PMOS管、第六PMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述第五PMOS管的源极和第六PMOS管的源极均连接于高电位，所述第五PMOS管的栅极和第五NMOS管的栅极均连接于前置全差分放大器的第一输出端，所述第六PMOS管的栅极和第六NMOS管的栅极均连接于前置全差分放大器的第二输出端，所述第五NMOS管的源极和第六NMOS管的源极均连接于低电位，所述第五PMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极相互连接后作为限流反相器的第一输出端，所述第六PMOS管的漏极和第六NMOS管的漏极相互连接后作为限流反相器的第二输出端。

4.如权利要求3所述的高压器件工作在低电压下的全差分低功耗比较器，其特征在于，所述限流反相器还包括有第三限流NMOS管，所述第五NMOS管的源极和第六NMOS管的源极均连接于第三限流NMOS管的漏极，所述第三限流NMOS管的源极连接低电位，所述第三限流NMOS管的栅极用于接入限流控制信号。

5.如权利要求1所述的高压器件工作在低电压下的全差分低功耗比较器，其特征在于，所述再生正反馈锁存器包括有第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第七PMOS管的源极连接于高电位，所述第七PMOS管的栅极用于接入复位控制信号，所述第八PMOS管的源极和第九PMOS管的源极均连接于第七PMOS管的漏极，所述第七NMOS管的源极和第八NMOS管的源极均连接于低电位，所述第八PMOS管的漏极、第七NMOS管的漏极、第九PMOS管的栅极和第八NMOS管的栅极均连接于限流反相器的第一输出端，所述第八PMOS管的栅极、第七NMOS管的栅极、第九PMOS管的漏极和第八NMOS管的漏极均连接于限流反相器的第二输出端。