[实用新型]硅PIN半导体区域γ辐射监测仪

说明书

技术领域

本实用新型涉及辐射监测技术领域，尤其涉及硅PIN半导体区域γ辐射监测仪。

背景技术

电磁辐射又称电子烟雾，是由空间共同移送的电能量和磁能量所组成，而该能量是由电荷移动所产生，电场和磁场的交互变化产生的电磁波，电磁波向空中发射或泄露的现象叫电磁辐射，电磁辐射其中就包括γ射线，γ射线是原子核能级跃迁蜕变时释放出的射线，是波长短于0.01埃的电磁波。γ射线有很强的穿透力，工业中可用来探伤或流水线的自动控制。γ射线对细胞有杀伤力，导致对人体有危害，所以需要对电磁辐射强度进行监测，但是，一般的手持γ辐射监测仪在遇到雨水天气时，容易被雨水淋湿，导致其内部的重要测量元件损坏，不能得到良好的保护，且一般的γ辐射监测仪测量精度低，存在能量响应时间长的缺点。

发明内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪 。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

硅PIN半导体区域γ辐射监测仪，包括下盖，所述下盖的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页，所述下盖的顶端两侧均开设有凹槽，且凹槽为倾斜设置，所述凹槽的两侧内壁上均粘接有防护层，且防护层是由橡胶材质制成，所述下盖通过合页转动连接有上盖，所述上盖的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条，且卡条和凹槽相适配，所述上盖的正面顶端开设有第二凹槽，且第二凹槽内卡接有显示屏，所述上盖的正面一侧开设有收纳槽，所述收纳槽的内部顶端安装有万向节，所述万向节远离收纳槽的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒，所述上盖的正面底端设有操作面板，所述操作面板的内部一侧通过螺丝固定有连接接口，所述操作面板的内部另一侧安装有操作按钮。

优选的，所述凹槽的水平长度和下盖的宽度、卡条的长度均相同。

优选的，所述探测器盒的内部通过导线连接有硅PIN半导体二极管，且硅PIN半导体二极管的长度和探测器盒的长度相适配。

优选的，所述显示屏通过导线连接有处理器，且处理器位于上盖的内部，处理器通过导线和硅PIN半导体二极管连接。

优选的，所述卡条的宽度和两个防护层之间的距离相适配。

优选的，所述下盖的内部设有安装槽，且安装槽内卡接有锂电池，锂电池的一端通过接线片以及导线和显示屏连接。

本实用新型的有益效果为：

1、本设备结构简单，当遇到雨水天气时，可以将上盖及时通过合页和下盖闭合，上盖两侧的卡条可以密实闭合在凹槽的内部，并且防护层可以增加密封性进一步防止雨水进入到仪器内部，另外，即使有些许雨水进入到凹槽内，凹槽的切斜设置可以让雨水自行从槽内流出。

2、探测器盒内安装的硅PIN半导体二极管可以提高监测数据的精度，使仪器的响应时间大大缩短，另外，在硅PIN半导体二极管损坏时直接打开探测器盒进行拆装更换。

附图说明

图1为本实用新型提出的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪的结构示意图；

图2为本实用新型提出的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪的局部结构示意图。

图中：1操作按钮、2下盖、3 防护层、4凹槽、5合页、6 探测器盒、7卡条、8 收纳槽、9万向节、10上盖、11 显示屏、12操作面板、13连接接口。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

参照图1-2，硅PIN半导体区域γ辐射监测仪，包括下盖2，下盖2的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页5，下盖2的顶端两侧均开设有凹槽4，且凹槽4为倾斜设置，凹槽4的两侧内壁上均粘接有防护层3，且防护层3是由橡胶材质制成，下盖2通过合页5转动连接有上盖10，上盖10的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条7，且卡条7和凹槽4相适配，上盖10的正面顶端开设有第二凹槽，且第二凹槽内卡接有显示屏11，上盖10的正面一侧开设有收纳槽8，收纳槽8的内部顶端安装有万向节9，万向节9远离收纳槽8的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒6，上盖10的正面底端设有操作面板12，操作面板12的内部一侧通过螺丝固定有连接接口13，操作面板12的内部另一侧安装有操作按钮1。