[实用新型]可调电容及阻抗匹配装置

权利要求书

1.一种可调电容，其特征在于，包括铁电介质层和位于所述铁电介质层相对两侧的第一电极和第二电极；

所述可调电容还包括与第一电极和第二电极绝缘设置的第一控制电极和第二控制电极；

所述第一控制电极和所述第二控制电极，用于向所述铁电介质层提供电场，以通过控制所述电场的电场强度来调整所述铁电介质层的介电常数，从而调节所述第一电极和第二电极之间的容值。

2.根据权利要求1所述的可调电容，其特征在于，至少部分所述铁电介质层同时位于所述第一控制电极和所述第二控制电极之间的电场以及所述第一电极和所述第二电极之间的电场中。

3.根据权利要求2所述的可调电容，其特征在于，所述第一电极和所述第一控制电极均设置于所述铁电介质层上侧，且所述第一电极位于左侧，第一控制电极位于右侧；

所述第二电极和所述第二控制电极均设置在所述铁电介质层的下侧且所述第二电极位于右侧，第二控制电极位于左侧；

所述第一控制电极与所述第二控制电极在所述铁电介质层上的正投影不重叠。

4.根据权利要求3所述的可调电容，其特征在于，所述第二控制电极的数量为两个，所述第二电极位于所述两个所述第二控制电极之间；

所述第一电极的数量为两个，所述第一控制电极位于所述两个所述第一电极之间。

5.根据权利要求3或4所述的可调电容，其特征在于，所述第二控制电极与所述第一电极一一对应相对设置；

所述第一控制电极与所述第二电极一一对应相对设置。

6.根据权利要求5所述的可调电容，其特征在于，相对设置的所述第二控制电极和所述第一电极在所述铁电介质层上的正投影完全重合；

相对设置的所述第一控制电极和所述第二电极在所述铁电介质层上的正投影完全重合。

7.根据权利要求1所述的可调电容，其特征在于，所述第一电极和第二电极分别设置在所述铁电介质层的上侧和下侧；

所述第一控制电极和所述第二控制电极分别设置在铁电介质层的左侧和右侧。

8.一种阻抗匹配装置，包括采集单元、匹配网络和控制单元，其特征在于，所述匹配网络串接在射频电源和反应腔室之间，所述匹配网络包括权利要求1-7任意一项所述的可调电容，且所述第一电极和第二电极接入所述匹配网络的电路中，所述第一控制电极与所述控制单元电连接，所述第二控制电极接地；

所述采集单元用于采集所述射频电源和所述匹配网络之间所在传输线上的电信号并发送至所述控制单元；

所述控制单元用于根据所述采集单元采集到的电信号进行阻抗匹配运算并根据所述运算结果控制加载至所述第一控制电极和第二控制电极之间的电压，以调节所述第一电极和所述第二电极之间的容值。

9.根据权利要求8所述的阻抗匹配装置，其特征在于，还包括低通滤波器，且所述低通滤波器设置在所述控制单元与所述第一控制电极之间。

10.根据权利要求9所述的阻抗匹配装置，其特征在于，所述可调电容的数量为多个，所述低通滤波器与所述可调电容一一对应设置且数量相等。