[实用新型]电声MEMS换能器、麦克风和电子设备

权利要求书

1.一种电声MEMS换能器，其特征在于，包括：

采用半导体材料的衬底(23)；

在所述衬底中的贯通空腔(24)；

背板(25)，所述背板由所述衬底通过板锚定结构承载，所述背板具有面向所述贯通空腔的表面(25A)；

固定电极(33)，所述固定电极在所述背板的所述表面之上延伸；

采用导电材料的薄膜(22)，所述薄膜具有面向所述固定电极的中心部分(22A)以及通过薄膜锚定结构固定到所述背板(25)的所述表面(25A)上的外围部分(22B)；以及

在所述薄膜(22)与所述背板(25)之间的腔室(28)，所述腔室由所述薄膜锚定结构外围地界定。

2.根据权利要求1所述的换能器，其特征在于，包括采用绝缘材料的单片结构层(35)，所述单片结构层形成所述背板(25)、所述板锚定结构以及所述薄膜锚定结构，所述板锚定结构以一定距离围绕所述薄膜锚定结构。

3.根据权利要求1所述的换能器，其特征在于，所述薄膜(22)和所述固定电极(33)采用半导体材料。

4.根据权利要求1所述的换能器，其特征在于，所述薄膜锚定结构相对于所述固定电极(33)被外部地安排。

5.根据权利要求1所述的换能器，其特征在于，所述背板(25)和所述固定电极(33)是被穿孔的(27)，并且所述薄膜(22)在所述中心部分(22A)中具有均衡开口(29)。

6.根据权利要求1所述的换能器，其特征在于，所述薄膜锚定结构包括至少两个凸块(26A，26B)，所述至少两个凸块沿着所述薄膜(22)的所述外围部分(22B)彼此相隔某个距离地延伸并且在其之间容纳了绝缘结构(38)，所述绝缘结构容纳了与所述薄膜(22)直接接触的采用导电材料的薄膜触点(39)。

7.根据权利要求1所述的换能器，其特征在于，所述衬底(23)采用硅，所述背板(25)、所述板锚定结构以及所述薄膜锚定结构采用氮化硅，并且所述薄膜(22)和所述固定电极(33)采用硅。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的换能器，其特征在于，包括解耦结构，所述解耦结构安排在所述背板(25)与所述板锚定结构之间。

9.根据权利要求8所述的换能器，其特征在于，所述解耦结构包括弹性区域。

10.根据权利要求9所述换能器，其特征在于，所述弹性区域包括在不同层级处并且以基本上之字形图案延伸的多个结构层部分(71，72)。

11.根据权利要求2至7中任一项所述的换能器，其特征在于，至少所述薄膜(22)的所述中心部分(22A)被安排成完全面向所述空腔(24)。

12.一种包括根据权利要求1所述的电声MEMS换能器(50)的麦克风(90)。

13.一种电子设备(100)，其特征在于，包括微处理器控制单元(101)以及根据权利要求12所述的麦克风(90)。