[实用新型]一种晶体硅腐蚀补液装置有效
| 申请号: | 201720757326.8 | 申请日: | 2017-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN207183296U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
| 发明(设计)人: | 高艳杰;杨青林;张建旗;何广川;王静;刘炜 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 李荣文 |
| 地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶体 腐蚀 补液 装置 | ||
1.一种晶体硅腐蚀补液装置,包括药液槽(1)、反应槽(3)、补液槽、连接管路及控制单元,其特征在于所述药液槽(1)设置在补液槽的上方且通过进液管(5)与补液槽相连通;所述补液槽为套装补液杯(2),包括内桶(9)和外桶(10),所述内桶(9)通过出液管(6)与反应槽(3)相连通,外桶(10)通过回流管(7)与回流槽(4)相连通,所述回流槽(4)通过返液管(8)与药液槽(1)相连通;所述进液管(5)上设置有进液阀门(11)和进液可控阀门(12),出液管(6)上设置有出液阀门(13)和出液可控阀门(14);所述返液管(8)上设置有药液泵(15)。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅腐蚀补液装置,其特征在于所述内桶(9)上设置有可调液位闸门,所述可调液位闸门包括底板(17)和可调闸门(18),底板(17)固定在内桶(9)上,可调闸门(18)上设置有可调阀门(19)。
3.根据权利要求2所述的一种晶体硅腐蚀补液装置,其特征在于所述内桶(9)底部侧壁上还设置有第一传感器(16)。
4.根据权利要求2所述的一种晶体硅腐蚀补液装置,其特征在于所述可调闸门(18)上还设置有第二传感器(20),所述第二传感器(20)和可调阀门(19)水平相连并可一起调整运动。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的一种晶体硅腐蚀补液装置,其特征在于所述内桶(9)上还设置有容量指针(21)和液位指示牌(22),液位指示牌(22)上设置有容量刻度。
6.根据权利要求1所述的一种晶体硅腐蚀补液装置,其特征在于所述药液槽(1)下部设置有第三传感器(23)。
7.根据权利要求1所述的一种晶体硅腐蚀补液装置,其特征在于所述回流槽(4)上部设置有第四传感器(24)。
8.根据权利要求1所述的一种晶体硅腐蚀补液装置,其特征在于所述进液可控阀门(12)和出液可控阀门(14)为电控阀门、气动阀门或磁控阀门。
9.根据权利要求1所述的一种晶体硅腐蚀补液装置,其特征在于所述补液装置中所有的传感器、可控阀门和药液泵的控制信号与工控机相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





