[实用新型]空穴型半导体异质结霍尔棒有效
| 申请号： | 201720754071.X | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN207217593U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李海欧;袁龙;王柯;曹刚;郭光灿;郭国平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 程纾孟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空穴 半导体 异质结 霍尔 | ||
1.一种空穴型半导体异质结霍尔棒，所述空穴型半导体异质结霍尔棒包含：
非掺杂GaAs/AlGaAs异质结基片(100)，所述异质结基片(100)由下到上依次包括非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103)；
第一和第四欧姆接触电极(201)、(204)，所述第一和第四欧姆接触电极(201)、(204)依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102)，进入所述非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm；
第三和第五欧姆接触电极(203)、(205)，所述第三和第五欧姆接触电极(203)、(205)依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102)，进入所述非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm，所述第三和第五欧姆接触电极(203)、(205)之间的连线与所述第一和第四欧姆接触电极(201)、(204)之间的连线相互垂直；
第二欧姆接触电极(202)，所述第二欧姆接触电极(202)依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102)，进入所述非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm，所述第二欧姆接触电极(202)与所述第三欧姆接触电极(203)之间的连线与所述第一和第四欧姆接触电极(201)、(204)之间的连线相互平行；
绝缘层(300)，所述绝缘层(300)覆盖所述表面非掺杂GaAs盖帽层(103)、所述第一至第五欧姆接触电极(201)、(204)、(202)、(203)和(205)；
顶栅极(400)，所述顶栅极(400)设置在所述绝缘层(300)上，并且其水平投影与所述第一至第五欧姆接触电极(201)、(204)、(202)、(203)和(205)均有交叠。
2.根据权利要求1所述的空穴型半导体异质结霍尔棒，其特征在于，所述顶栅极(400)与所述第一至第五欧姆接触电极(201)、(204)、(202)、(203)和(205)中每一个的交叠面积为1000-5000平方微米。
3.根据权利要求2所述的空穴型半导体异质结霍尔棒，其特征在于，所述交叠面积为2000平方微米。
4.根据权利要求1所述的空穴型半导体异质结霍尔棒，其特征在于，所述非掺杂AlGaAs层(102)的厚度为20-80nm；和/或所述表面非掺杂GaAs盖帽层(103)的厚度为2-10nm；和/或所述第一至第五欧姆接触电极(201)、(204)、(202)、(203)和(205)的厚度为50-120nm；和/或所述绝缘层(300)的厚度为20-120nm；和/或所述顶栅极的厚度为50-130nm。
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