[实用新型]一种芯片高压供电电路

说明书

技术领域

本实用新型属于电网技术领域，具体涉及一种芯片高压供电电路。

背景技术

效率是开关电源的关键性能指标之一，而减小高压供电电路自身的损耗是提高效率的重要措施，但现有的高压供电电路普遍存在损耗较大的问题。现有的高压供电电路直接与经整流后的交流输入电压相连，输出供电电流到LED芯片的供电电容。由于较高的交流 输入电压和较大的供电电流导致高压供电电路本身的损耗较大。

另外，在高压供电电路中，当AC输入电压下降到供电电压以下时，为了防止供电电容向AC输入端反灌电流，往往采用二极管串联方式实现单向导通。但由于供电电流较大，要求串联的二极管导通面积需足够大，同时也加大了该二极管的反向漏电流和寄生三极管的影响，降低电路的可靠性。

交流电源供电电路中由于输入电压非常高，芯片启动时在满足启动时间的情况下，启动电阻损耗会非常大，如图1所示，R1损耗很大。且输入过压保护时电压在反复重启，保护效果不理想。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种芯片高压供电电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种芯片高压供电电路，包括恒流充电电路、关断电路、线性稳压电路、过压保护电路，所述恒流充电电路与线性稳压电路连接，所述恒流充电电路与第一稳压二极管VZ1连接，所述第一稳压二极管VZ1与关断电路连接，所述关断电路与过压保护电路连接，所述过压保护电路与线性稳压电路连接。

优选的，所述恒流充电电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1和第一MOS管VT1，所述第一电阻R1与第三电阻R3并联，所述第一电阻R1与第一MOS管VT1的漏极连接，所述第二电阻R2与第一MOS管VT1的源极连接。

优选的，所述关断电路包括第四电阻R4、第五电阻R5和第二MOS管VT2，所述第二MOS管VT2的漏极分别与第三电阻R3、第一MOS管VT1的栅极、第一稳压二极管VZ1和第一电容C1电性连接，所述第三电阻R3、第一MOS管VT1的栅极、第一稳压二极管VZ1和第一电容C1相互之间并联，所述第二MOS管VT2的栅极分别与第四电阻R4和第五电阻R5并联。

优选的，所述过压保护电路包括第二电容C2、第六电阻R6、第七电阻R7、NPN三极管VT3和二极管VD1，所述第二电容C2、第六电阻R6和第七电阻R7之间相互并联，所述第六电阻R6和第七电阻R7与NPN三极管VT3的基极电性连接，所述NPN三极管VT3的集电极与两个二极管VD1电性连接。

优选的，所述线性稳压电路包括第八电阻R8、第三电容C3、第二NPN三极管VT4、第二稳压二极管VZ2、第二二极管VD2和电池E1，所述第八电阻R8与二极管VD1电性连接，所述第八电阻R8与第二NPN三极管VT4的集电极电性连接，所述第二NPN三极管VT4的基极与第二稳压二极管VZ2电性连接，所述第二NPN三极管VT4的发射极与第二稳压二极管VZ2的导通端电性连接，所述第三电容C3和第二稳压二极管VZ2并联，所述电池E1与恒流充电电路电性连接。

本实用新型的技术效果和优点：该芯片高压供电电路，通过高压恒流充电给芯片电容充电，芯片正常工作后关闭此高压恒流充电电路，并且可实现输入过压保护功能。

附图说明

图1为一种现有技术的芯片高压供电电路图。

图2为本实用新型的电路原理图。

图中：1恒流充电电路、2关断电路、3线性稳压电路、4过压保护电路。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。