[实用新型]一种芯片测试结构

权利要求书

1.一种芯片测试结构，其特征在于，从下至上依次包括基底层、层间介质隔离层和覆盖层；所述基底层上设置有多个等间距排列的浅槽隔离槽，所述浅槽隔离槽从所述基底层与所述层间介质隔离层结合的表面延伸至所述基底层内部，所述层间介质隔离层填充所述浅槽隔离槽；所述层间介质隔离层上设置有多个等间距排列的第一测试端子和第二测试端子，所述第一测试端子和所述第二测试端子从所述层间介质隔离层与所述覆盖层结合的表面延伸至所述层间介质隔离层内部；所述第二测试端子和所述浅槽隔离槽对齐，所述第一测试端子位于两个相邻的所述第二测试端子的中间位置处，所述第一测试端子通过第一通孔连线连接所述基底层，所述第二测试端子通过第二通孔连线连接所述层间介质隔离层。

2.根据权利要求1所述的芯片测试结构，其特征在于，所述第二通孔连线的下表面与所述基底层的上表面在垂直方向的距离的范围是10nm-10um。

3.根据权利要求2所述的芯片测试结构，其特征在于，所述第一通孔连线和所述第二通孔连线在水平方向的距离的范围是10nm-10um。

4.根据权利要求3所述的芯片测试结构，其特征在于，两个相邻的所述浅槽隔离槽的异侧边缘距离的范围是10nm-10um。

5.根据权利要求1至4任一项所述的芯片测试结构，其特征在于，所述第一通孔连线和所述第二通孔连线的材料为钨。

6.根据权利要求1至4任一项所述的芯片测试结构，其特征在于，所述第一测试端子和所述第二测试端子的材料为铜。

7.根据权利要求1至4任一项所述的芯片测试结构，其特征在于，所述基底层的材料为硅，所述层间介质隔离层的材料为二氧化硅，所述覆盖层的材料为氮化硅。

8.一种芯片测试结构，其特征在于，从下至上依次包括基底层、有源层、层间介质隔离层和覆盖层；所述有源层上设置有多个等间距排列的浅槽隔离槽，所述浅槽隔离槽从所述有源层与所述层间介质隔离层结合的表面延伸至所述有源层内部，所述层间介质隔离层填充所述浅槽隔离槽；所述层间介质隔离层上设置有多个等间距排列的第一测试端子和第二测试端子，所述第一测试端子和所述第二测试端子从所述层间介质隔离层与所述覆盖层结合的表面延伸至所述层间介质隔离层内部；所述第二测试端子和所述浅槽隔离槽对齐，所述第一测试端子位于两个相邻的所述第二测试端子的中间位置处，所述第一测试端子通过第一通孔连线连接所述有源层，所述第二测试端子通过第二通孔连线连接所述层间介质隔离层。