[实用新型]基于SiCMOSFET的双Buck全桥逆变器

权利要求书

1.一种基于SiCMOSFET的双Buck全桥逆变器，其特征在于：包括双Buck全桥逆变器单元、用于控制所述双Buck全桥逆变器单元以消除其周期性扰动的控制单元；所述双Buck全桥逆变器单元包括直流电压Ud，电容C，负载电阻R，二极管D1、D2、D3、D4，开关管S1、S2、S3、S4，电感L1、L2，直流电压Ud的正端与开关管S1的一端、开关管S2的一端连接，直流电压Ud的负端与二极管D1的阳极、二极管D2的阳极、二极管D3的阴极、二极管D4的阴极连接，开关管S1的另一端与二极管D1的阴极相连接至电感L1的一端，开关管S2的另一端与二极管D2的阴极相连接至电感L2的一端，电感L1的另一端与电容C的一端、开关管S3的一端、电阻R的一端连接，电感L2的另一端与电容C的另一端、开关管S4的一端、电阻R的另一端相连接至GND端，开关管S3的另一端、开关管S4的另一端分别与二极管D3的阳极、二极管D4的阴极连接，其中，开关管S1、S2、S3、S4均为基于SiC MOSFET管；所述控制单元的输出端分别与开关管S1、S2、S3、S4的控制端连接。

2.根据权利要求1所述的基于SiCMOSFET的双Buck全桥逆变器，其特征在于：所述控制单元包括基准电流产生模块、第一无差拍电流控制器、第二无差拍电流控制器、第一过零比较器、第二过零比较器、反相器、第一电流传感器、第二电流传感器、电压传感器；所述基准电流产生模块产生的基准电流与经第一电流传感器采样的流过电感L1的电流比较后，由所述第一无差拍电流控制器进行无差拍控制后作为开关管S1的控制信号；所述基准电流产生模块产生的基准电流与经第二电流传感器采样的流过电感L2的电流比较后，由所述第二无差拍电流控制器进行无差拍控制后作为开关管S2的控制信号；电压传感器采样的负载电阻R两端的电压经第一过零比较器、反相器后作为开关管S3的控制信号；电压传感器采样的负载电阻R两端的电压经第二过零比较器后作为开关管S4的控制信号。