[实用新型]高线性度高速信号缓冲电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，特别是涉及一种高线性度高速信号缓冲电路。

背景技术

在集成电路的设计中，高速ADC的设计具有相当大的挑战，且高速ADC中模拟前端的信号缓冲器的性能直接决定ADC的性能。

现有的缓冲器根据结构可分为两类：闭环缓冲器与开环缓冲器。其中，闭环缓冲器一般用于带宽低于500kHz的应用中，利用负反馈来获得较高的线性度，但是在保证环路稳定的情况的下环路的带宽很难做高，虽然通过增加功耗可以增加带宽，但是随着功耗的增加获得的带宽越来越有限，所以在信号带宽比较宽的应用中很少出现闭环的缓冲器；开环缓冲器一般用于带宽几兆赫兹到几百兆赫兹的应用中，开环缓冲器获得高线性度比较困难。

因此，有必要提供一种高线性度高速信号缓冲电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种用于高线性度高速信号缓冲电路，用于高带宽缓冲的集成电路中，通过改进电路结构，进行电流补偿，从而偶的高线性度。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种高线性度高速信号缓冲电路，包括输入端、与所述输入端相连的第一场效应管、与所述输入端相连的第二场效应管、与所述第一场效应管相连的第一电流源、与所述第二场效应管相连的第二电流源、第三场效应管、与所述第三场效应管相连的第四场效应管、与所述第二电流源和所述第二场效应管相连的第一电容、第二电容及输出端，所述第一场效应管与所述第一电流源形成主要缓冲器，所述第二电流源、所述第二场效应管、所述第三场效应管及所述第四场效应管形成电流补偿子电路，所述第一电容与所述第二电容的电容值相等，所述第一电容为补偿电容，所述第二电容为负载电容，所述第二场效应管和所述第四场效应管采集所述负载电容的电流的变化，再通过所述第三场效应管补偿到所述主要缓冲器，来保证流过所述第一场效应管的电流不变。

所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极共同连接所述输入端，所述第一场效应管的源极与所述第一电流源的一端、所述第三场效应管的漏极、所述第二电容的一端及所述输出端相连。

所述第二场效应管的源极与所述第二电流源的一端及所述第一电容的一端相连，所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极及漏极相连。

所述第一电流源的另一端与所述第二电流源的另一端共同连接电源端；所述第一场效应管的漏极、所述第三场效应管的源极、所述第四场效应管的源级、所述第一电容的另一端与所述第二电容的另一端共同连接地端。

所述第一场效应管与所述第二场效应管为P型场效应管，所述第三场效应管与所述第四场效应管为N型场效应管。

本实用新型的有益效果是：电路结构简单，通过改进电路结构，进行电流补偿，从而实现高线性度高速信号缓冲电路。

附图说明

图1为本实用新型高线性度高速信号缓冲电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。

如图1所示，本实用新型高线性度高速信号缓冲电路包括输入端VIN、与输入端VIN相连的第一场效应管M1、与输入端VIN相连的第二场效应管M2、与第一场效应管M1相连的第一电流源I1、与第二场效应管M2相连的第二电流源I2、第三场效应管M3、与第三场效应管M3相连的第四场效应管M4、与第二电流源I2和第二场效应管M2相连的第一电容C1、第二电容C2及输出端VOUT；其中，第一场效应管M1与第一电流源I1形成本实用新型高线性度高速信号缓冲电路的主要缓冲器，第二电流源I2、第二场效应管M2、第三场效应管M3及第四场效应管M4形成电流补偿子电路，第一电容C1为补偿电容，第二电容C2为负载电容，第一电容C1与第二电容C2的电容值相等。

在实用新型中，第一电流源I1的电流为2I，第二电流源I2的电流为I，只要流过第一场效应管M1的电流保持不变，就可以获得高的线性度，通过第二场效应管M2和第四场效应管M4采集负载电容的电流的变化，再通过第三场效应管M3补偿到主要缓冲器，从而保证流过第一场效应管M1的电流不变。