[实用新型]氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 201720740734.2 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN207116436U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;林信南;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/47;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 | ||
1.一种氮化镓半导体器件，其特征在于，包括：氮化镓外延层；以及，
设置于所述氮化镓外延层上的介质层，所述介质层材质为氧化铪；
设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；其中，所述栅极贯穿所述介质层、并伸入所述氮化镓外延层中；
设置于所述源极、漏极和栅极以及所述介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅；
还包括设置于所述绝缘层上的场板金属层，所述场板金属层贯穿所述绝缘层与所述源极连接。
2.根据权利要求1所述氮化镓半导体器件，其特征在于，所述氮化镓外延层包括硅衬底，以及设置于所述硅衬底表面的氮化镓层、设置于所述氮化镓层表面的氮化铝镓层。
3.根据权利要求2所述氮化镓半导体器件，其特征在于，所述栅极贯穿所述氮化铝镓层与所述氮化镓层连接。
4.根据权利要求1或2或3或所述氮化镓半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度为2000埃。
5.根据权利要求1所述氮化镓半导体器件，其特征在于，所述源极和/或漏极由第一金属组成；所述第一金属从下至上依次包括：第一钛金属层、铝金属层、第二钛金属层和氮化钛层。
6.根据权利要求1所述氮化镓半导体器件，其特征在于，所述栅极由第二金属组成，所述第二金属为Ni、Au合金。
7.根据权利要求5所述氮化镓半导体器件，其特征在于，所述第一钛金属层的厚度为200埃，所述铝金属层的厚度为1200埃，所述第二钛金属层的厚度为200埃，所述氮化钛层的厚度为200埃。
8.根据权利要求6所述氮化镓半导体器件，其特征在于，所述第二金属厚度为0.01～0.04μm/0.08～0.4μm。
9.根据权利要求1所述氮化镓半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度为5000埃；和/或，所述场板金属层的厚度为10000埃。
10.一种氮化镓半导体器件，其特征在于，包括：氮化镓外延层；以及，
设置于所述氮化镓外延层上的介质层，所述介质层材质为氧化铪；
设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；其中，所述栅极贯穿整个所述介质层、以及所述氮化镓外延层中的氮化铝镓层；
设置于所述源极、漏极和栅极以及所述介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅；
还包括设置于所述绝缘层上的场板金属层，所述场板金属层贯穿所述绝缘层与所述源极连接。
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