[实用新型]减小光电二极管寄生电容电路有效

专利信息
申请号: 201720739614.0 申请日: 2017-06-23
公开(公告)号: CN206807407U 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: 范樟;李景虎;涂航辉 申请(专利权)人: 千度芯通(厦门)微电子科技有限公司
主分类号: H03F1/42 分类号: H03F1/42;H03F3/08
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 代理人: 刘士宝
地址: 361011 福建省厦门市自由*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 减小 光电二极管 寄生 电容 电路
【权利要求书】:

1.减小光电二极管寄生电容电路,其特征在于,包括误差放大器A0、NMOS晶体管MN1、NMOS晶体管MN2、NMOS晶体管MN3、NMOS晶体管MN4、电阻R0、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2和电容C3;

NMOS晶体管MN1的栅极同时连接电阻R0的一端和电阻R1的一端;

NMOS晶体管MN2的栅极、漏极同时连接NMOS晶体管MN1的源极、电阻R2的一端和电容C3的一端;

NMOS晶体管MN2的源极连接NMOS晶体管MN3的漏极;

NMOS晶体管MN3的栅极同时连接电容C2的一端、电阻R2的另一端和电阻R3的一端;

NMOS晶体管MN3的源极同时连接NMOS晶体管MN4的漏极、电容C1的一端和电容C3的另一端;

NMOS晶体管MN4的栅极连接误差放大器A0的输出端;

NMOS晶体管MN4的源极同时连接误差放大器A0的反向输入端和电阻R4的一端;

误差放大器A0的正向输入端连接基准电压Vref;

电容C1的另一端连接光电二极管D0的PINK端;

电容C2的另一端连接光电二极管D0的PINA端;

电阻R1的另一端、电阻R3的另一端和电阻R4的另一端同时连接GND;

NMOS晶体管MN1的漏极和电阻R0的另一端同时连接电源VDD。

2.根据权利要求1所述减小光电二极管寄生电容电路,其特征在于,电容C1与电容C2为交流耦合电容。

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