[实用新型]一种DFN0603高密度框架

权利要求书

1.一种DFN0603高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上设多个与DFN0603封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部上均设有两个芯片安置区，所述芯片安置区周围设有延伸连筋，所述延伸连筋的宽度大于普通芯片安置区边缘宽度，相邻的芯片安装部之间设有横边连接筋或竖边连接筋。

2.根据权利要求1所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部为矩形，所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置，相邻芯片安装部长边之间的连筋为竖边连接筋，短边之间的连筋为横边连接筋。

3.根据权利要求2所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，在每个竖边连接筋的中部设有贯穿框架的竖边分隔槽，所述竖边分隔槽与横边连接筋平行。

4.根据权利要求3所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，被竖边分隔槽分开的竖边连接筋之间设置竖向连接块。

5.根据权利要求4所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，在竖向连接块上还设有竖向掏空槽，所述竖向连接块设置于相邻芯片安装部之间的中心位置，且与芯片安装部长边平行。

6.根据权利要求4或5所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述竖向掏空槽延伸至竖边连接筋边缘。

7.根据权利要求2所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，相邻横边连接筋之间连有横向连接块，所述横向连接块上设有贯穿框架的横向掏空槽，所述横向连接块和横向掏空槽均与芯片安装部短边平行，所述横向连接块设置在相邻芯片安装部的中心位置。

8.根据权利要求7所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述横向掏空槽往框架短边方向延伸，并延伸至框架的边缘。

9.根据权利要求8所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框切割道，包括横向边框切割道和竖向边框切割道，在横向边框切割道和竖向边框切割道上设有与芯片安装部之间的切割位置对应的切割对准线槽。

10.根据权利要求9所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述竖向边框切割道和横向边框切割道上还设有间隔设置的半腐蚀区域。