[实用新型]一种GaNMIS沟道HEMT器件有效
| 申请号： | 201720738269.9 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN207068860U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;袁俊;杨永江;张敬伟;李明山;孙安信 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ganmis 沟道 hemt 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN MIS沟道HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件的材料结构包括衬底以及依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。
2.根据权利要求1所述的GaN MIS沟道HEMT器件，其特征在于，所述AlN成核层的厚度为20-100nm；所述GaN缓冲层的厚度为1-5μm；所述GaN沟道层的厚度为50-1000nm；所述AlN插入层的厚度小于20nm；所述AlGaN势垒层的厚度为10-50nm；所述GaN帽层的厚度小于10nm。
3.根据权利要求1所述的GaN MIS沟道HEMT器件，其特征在于，所述衬底为SiC衬底、Si衬底、GaN衬底或Al2O3衬底的任一种。
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