[实用新型]采用缺陷接地结构的微波放大器

权利要求书

1.采用缺陷接地结构的微波放大器，包括微带通路(1)，其特征在于，还包括环形微带圈(2)和横向微带线(3)；所述横向微带线(3)的轴线垂直于微带通路(1)轴线，并布置于微带通路(1)上方；所述横向微带线(3)的两端均设置环形微带圈(2)；所述环形微带圈(2)包括两个高阻抗段(22)和两个低阻抗段(21)；所述两个高阻抗段(22)和两个低阻抗段(21)依次交替设置闭合形成环形微带圈(2)；所述低阻抗段(21)的宽度采用0.2～0.3mm；所述高阻抗段(22)的宽度采用0.1～0.15mm。

2.根据权利要求1所述的采用缺陷接地结构的微波放大器，其特征在于，所述横向微带线(3)的端部连接于高阻抗段(22)。

3.根据权利要求1所述的采用缺陷接地结构的微波放大器，其特征在于，所述两个高阻抗段(22)和两个低阻抗段(21)的长度之和采用微波波长。

4.根据权利要求1所述的采用缺陷接地结构的微波放大器，其特征在于，所述环形微带圈(2)设置为方环形，且两个高阻抗段(22)和两个低阻抗段(21)分别位于该方环的四条边。

5.根据权利要求1所述的采用缺陷接地结构的微波放大器，其特征在于，所述横向微带线(3)的数量为两个及以上，所述环形微带圈(2)的数量为横向微带线(3)两倍，所述横向微带线(3)和与之相连接的两个环形微带圈(2)构成一个阵列单元；所述阵列单元的数量与横向微带线(3)相同，且两个及以上阵列单元构成阵列。