[实用新型]半导体器件

说明书

本实用新型提供一种半导体器件，实现半导体芯片的缩小化，从而实现半导体器件的小型化。QFP中的半导体芯片的接合焊盘(4c)在其露出部(4ca)具有由连结角部(4n)与第一点(4q)的第一线段(4u)、连结角部(4n)与第二点(4r)的第二线段(4v)、连结第一点(4q)与第二点(4r)且朝向角部(4n)成为凸状的圆弧(4w)构成的连接柱配置区域(4x)。进而，在俯视接合焊盘(4c)时，连接柱(4h)的至少一部分与连接柱配置区域(4x)重叠配置。

技术领域

本实用新型涉及例如具有连接有导电性导线的电极焊盘的半导体器件。

背景技术

半导体器件随着其小型化及低成本化的发展，半导体芯片的电极焊盘附近的构造也被期望实现小型化。另一方面，从半导体器件的多功能化出发，电极焊盘的数量有增加的趋势。

近年来，多使用将半导体芯片内的下层布线和电极焊盘经由连接柱(via)电连接的构造。

此外，在例如日本特开2002-16069号公报(专利文献1)及日本特开平11-126790号公报(专利文献2)中，公开了将半导体芯片的电极焊盘和下层布线经由连接柱电连接的构造。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-16069号公报

专利文献2：日本特开平11-126790号公报

如上述半导体器件那样，在将电极焊盘和下层布线经由连接柱电连接的构造中，为了降低连接柱部分的电阻，需要增大连接柱直径。另外，因溅射的被覆性的影响而在连接柱上的电极焊盘的表面上形成有凹部(层差、洼部)。当在形成有该凹部的电极焊盘的区域进行导线接合时，无法确保导线接合的连接强度，因此，作为该对策，考虑将连接柱使用引出布线而引出到规定电极焊盘的绝缘膜的开口部的外侧的位置来进行配置。

但是，该构造中，电极焊盘附近的面积增加，无法实现半导体芯片的小型化，其结果为，无法实现半导体器件的小型化。

实用新型内容

本实用新型是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够实现半导体芯片的缩小化而实现半导体器件的小型化。

其它课题和新的特征将根据本说明书的记述及附图变得明了。

一实施方式的半导体器件具有：半导体芯片，其具有电极焊盘；以及导电性导线，其包括与上述电极焊盘电连接的导线连接部。而且，上述半导体芯片具有：下层布线，其形成于上述电极焊盘的下层；第一绝缘膜，其覆盖上述下层布线；导体连接部，其配置于上述下层布线上方，并且被埋入形成于上述第一绝缘膜的第一开口部，且与上述下层布线电连接；第二绝缘膜，其覆盖上述电极焊盘的一部分，且形成有规定上述电极焊盘的露出部的第二开口部。另外，上述电极焊盘和上述导体连接部形成为一体。另外，上述第二开口部具有沿着相邻的两个边中的一边的第一虚拟线与沿着另一边的第二虚拟线交叉的交点、位于与上述交点相距上述导线连接部的俯视时的半径的距离处的上述第一虚拟线上的第一点、以及位于与上述交点相距上述半径的距离处的上述第二虚拟线上的第二点。上述第二开口部还具有由连结上述交点与上述第一点的第一线段、连结上述交点与上述第二点的第二线段、以及连结上述第一点与上述第二点且朝向上述交点成为凸状的圆弧构成的第一区域。另外，上述导线连接部与上述电极焊盘的上述第二开口部中的与上述第一区域不同的第二区域连接，形成于上述导体连接部上的上述电极焊盘的表面的凹部的至少一部分俯视时与上述第一区域重叠。