[实用新型]硅片慢提拉清洗槽有效
申请号: | 201720722949.1 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN206820012U | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 虞凯;孙铁囤;姚伟忠 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 慢提拉 清洗 | ||
1.一种硅片慢提拉清洗槽,其特征在于:包括用于清洗硅片的水槽(1),所述水槽(1)上具有开口向上的清洗腔(1-1),所述水槽(1)的顶端位于清洗腔(1-1)开口的两侧分别设置有热风刀(2)及挡风板(3),所述热风刀(2)内具有风腔(2-1),所述热风刀(2)的内表面开设有若干与风腔(2-1)连通的出风孔道(2-2),所述出风孔道(2-2)的轴线由外至内向下倾斜,所述挡风板(3)的内侧面由外至内向上倾斜。
2.根据权利要求1所述的硅片慢提拉清洗槽,其特征在于:所述热风刀(2)的内侧面为斜面,所述斜面由外至内向上倾斜。
3.根据权利要求1所述的硅片慢提拉清洗槽,其特征在于:所述水槽(1)的侧方设置有热水溢流槽(4),所述热水溢流槽(4)上具有溢流孔(4-1),所述溢流孔(4-1)与水槽(1)的清洗腔(1-1)连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的