[实用新型]粘土切割装置有效
申请号: | 201720720410.2 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN206855735U | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 喻茹昌;何渝;何正春 | 申请(专利权)人: | 重庆市民益陶瓷有限公司 |
主分类号: | B28B17/02 | 分类号: | B28B17/02 |
代理公司: | 重庆飞思明珠专利代理事务所(普通合伙)50228 | 代理人: | 刘念芝 |
地址: | 408000 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘土 切割 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及陶瓷产品制作领域,特别涉及一种粘土切割装置。
背景技术
陶瓷产品包括陶瓷锅、碗、勺子、坛子、酒瓶等等一切器具,是选用粘土(陶土)为原料,经过搅拌加工成泥料、抽真空、切割、制坯或拉坯成型、干燥、焙烧等工艺流程制成。当待加工的陶瓷产品体型较大,例如锅、坛子等等,一般切割成圆柱形体,当加工的陶瓷产品体型较小,例如一些工艺口、勺子等等,一般切割呈小型块状或圆柱形状。在切割工艺中,一般采用具有一基座和设于基座上且能够上下翻转的切刀组成,工人地进行粘土切割时,一般凭经验进行等分切割,这种切割方式需要非常有经验的工人才能对形状、量的控制较为精准,但是,即使是经验丰富的工人,也会对切割量有误差。
实用新型内容
针对上述现有技术的不足,本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种能够提高切割的粘土量的精确度的粘土切割装置。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种粘土切割装置,包括基座以及枢接于所述基座后侧边的切割座,还包括设于所述切割座上的线切割结构,所述基座具有一切槽座,在所述基座的上表面开设有一用于容置所述切槽座的容置槽,所述切槽座容置于所述容置槽中且上端面突出于所述基座的上表面;所述切槽座上均匀间隔的设置有若干切槽,所述若干切槽均从所述切槽座的上表面向下开设,并且每一切槽均从所述切槽座的前后两端贯穿所述切槽座,深度小于所述切槽座的高度;所述切割座呈形状大小与所述基座相匹配的框状结构,其由前侧框、后侧框、左侧框及右侧框围合而成;所述线切割结构包括设于所述前侧框上相应于所述基座的一面的且与所述切槽一一对应的若干前固定柱、设于所述后侧框上相应于所述基座的一面的且与所述切槽一一对应的若干后固定柱以及若干连接于对应的前固定柱后后固定柱之间的切线。
进一步的,所述切割座通过一枢接结构枢接于所述基座的后侧,所述枢接结构包括一斜凸块、第一铰链、第一铰链安装栓、第二铰链以及第二铰链安装栓;所述斜凸块的长度与所述基座的后侧长度相等,置于所述基座后侧上表面,所述斜凸块的下底面为平面,后侧面为立面,上表面为渐斜面,所述上表面向前且向下渐斜;所述第一铰链和第二铰链分别设于所述斜凸块的左右两端,所述第一铰链的两铰页分别通过若干第一铰链安装栓安装于所述斜凸块一端的后侧面和切割座一端的后侧面,所述第二铰链的两铰页分别通过若干第二铰链安装栓安装于所述斜凸块另一端的后侧面和切割座另一端的后侧面。
本实用新型的粘土切割装置,可以做到每一份粘土形状大小相同,或近似相同,能够提供等分量的拉坯原料,进而使得制作的成本的大小、规模相等或相近似,提高良品率。本实用新型的粘土切割装置,采用切线代替传统的切刀,减少与粘土的接触面,降低了而切刀回位时与粘土摩擦产生的切割面不平滑等情况的发生。
附图说明
图1是本实用新型粘土切割装置一实施例的立体图。
图2是本实用新型的粘土切割装置一实施例的打开状态状。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参见图1及图2,本实用的粘土切割装置包括一具有切槽座10的基座1、枢接于所述基座1后侧边的切割座2以及设于所述切割座2上的线切割结构3,所述切割座2能够呈盖合于所述基座1上的切割状态以及打开于基座1上的非切割状态。当所述切割座2向所述基座1方向翻转以逐渐水平置压于所述基座1上时,所述线切割结构3逐渐随所述切割座2陷入位于所述基座1上的粘土上,从而从所述粘土的高度方向上切段所述粘土。
所述基座1呈矩形体状(或称矩形块状,扁平的矩形体状),在所述基座1上开设有一形状与所述切槽座10相匹配的容置槽12,本实施例中,所述切槽座10呈矩形体状,所述容置槽12呈与所述切槽座10形状相匹配的矩形容置槽12,所述容置槽12由所述基座1的上表面向下方开设形成,所述切槽座10的高度大于所述容置槽12的深度,所述切槽座10设置于该容置槽12内,其上端面突出于所述基座1的上表面。
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