[实用新型]共模噪声滤波器有效
| 申请号: | 201720715016.X | 申请日: | 2017-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN206976139U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
| 发明(设计)人: | 大森吉晴;新海淳;绳手优克 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/29 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 李国华 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 噪声 滤波器 | ||
技术领域
本实用新型涉及使用于数字设备、AV设备、信息通信终端等各种电子设备的共模噪声滤波器。
背景技术
图8是以往的共模噪声滤波器501的分解立体图。在共模噪声滤波器501中,在绝缘层1a~1d各自的上表面设置有导体2~5。通过经由过孔电极6a对形成在导体2的一端部的焊盘部2a和形成在导体3的一端部的焊盘部3a进行连接,从而形成线圈7。通过经由过孔电极6b对形成在导体4的一端部的焊盘部4a和形成在导体5的一端部的焊盘部5a进行连接,从而形成线圈8。导体3、4具有螺旋形状。导体2~5的另一端部分别与外部电极连接。
与共模噪声滤波器501类似的以往的共模噪声滤波器例如公开在日本特开2001-60514号公报。
实用新型内容
共模噪声滤波器具备在内部构成了多个层面的层叠体和分别设置在层叠体的内部的互不相同的层面的第一螺旋状导体和第二螺旋状导体。第一螺旋状导体具有第一螺旋状导线部、设置在第一螺旋状导线部的外侧端的第一焊盘部、以及设置在螺旋状导线部的内侧端的第二焊盘部。第二螺旋状导体具有第二螺旋状导线部、设置在第二螺旋状导线部的外侧端的第三焊盘部、以及设置在第二螺旋状导线部的内侧端的第四焊盘部。第一螺旋状导线部与第二螺旋状导线部对置。第二焊盘部与第四焊盘部在俯视下不重叠。
该共模噪声滤波器能够在高频带中使用。
附图说明
图1A是实施方式中的共模噪声滤波器的立体图。
图1B是图1A所示的共模噪声滤波器的线1B-1B处的剖视图。
图2是实施方式中的共模噪声滤波器的分解立体图。
图3是实施方式中的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。
图4是实施方式中的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。
图5A是实施方式中的另一个共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。
图5B是图5A所示的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。
图6是实施方式中的又一个共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。
图7是图6所示的共模噪声滤波器的主要部分的俯视图。
图8是比较例的共模噪声滤波器的分解立体图。
具体实施方式
图1A是实施方式中的共模噪声滤波器1001的立体图。图1B是图1A所示的共模噪声滤波器1001的线1B-1B处的剖视图。图2是共模噪声滤波器1001的分解立体图。
共模噪声滤波器1001具备层叠体12、形成在层叠体12的外部的外部电极13a~13d、形成在层叠体12的内部的螺旋状导体14、15、以及形成在层叠体12的内部的引出导体16~19。层叠体12由在上下方向D1上彼此层叠的绝缘体层11a~11e构成。螺旋状导体14与引出导体16、17彼此连接而构成线圈20。螺旋状导体15与引出导体18、19彼此连接而构成线圈21。
如图1B所示,层叠体12由在上下方向D1上层叠的多个绝缘体层11a~11e、23a、23b构成。具体地,绝缘体层11a层叠在绝缘体层23a的上表面123a。绝缘体层11b层叠在绝缘体层11a的上表面111a。绝缘体层11c层叠在绝缘体层11b的上表面111b。绝缘体层11d层叠在绝缘体层11c的上表面111c。绝缘体层11e层叠在绝缘体层11d的上表面111d。绝缘体层23b层叠在绝缘体层11e的上表面111e。绝缘体层11a~11e、23a、23b的上表面与下表面构成在上下方向D1上彼此分离的多个层面P1~P8。具体地,绝缘体层23a的下表面223a构成层面P1。绝缘体层23a的上表面123a和位于绝缘体层23a的上表面123a的绝缘体层11a的下表面211a构成层面P2。绝缘体层11a的上表面111a和位于绝缘体层11a的上表面111a的绝缘体层11b的下表面211b构成层面P3。绝缘体层11b的上表面111b和位于绝缘体层11b的上表面111b的绝缘体层11c的下表面211c构成层面P4。绝缘体层11c的上表面111c和位于绝缘体层11c的上表面111c的绝缘体层11d的下表面211d构成层面P5。绝缘体层11d的上表面111d和位于绝缘体层11d的上表面111d的绝缘体层11e的下表面211e构成层面P6。绝缘体层11e的上表面111e和位于绝缘体层11e的上表面111e的绝缘体层23b的下表面223b构成层面P7。绝缘体层23b的上表面123b构成层面P8。
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