[实用新型]一种非晶氧化物薄膜晶体管

说明书

技术领域

本实用新型属于显示器件技术领域，具体涉及一种非晶氧化物薄膜晶体管。

背景技术

近年来，非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在以有源矩阵驱动液晶显示(AMLCD)、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)和电子纸(E-paper)为代表的信息显示中起重要作用。非晶氧化物TFT具有较高的迁移率，低制备温度，高均匀性等优点可满足当前显示技术朝大尺寸、高分辨率和柔性等方向发展的要求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种非晶氧化物薄膜晶体管。

本实用新型目的通过以下技术方案实现：

一种非晶氧化物薄膜晶体管，由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、AlOx:Nd栅极绝缘层、氧化物半导体(STO)薄膜有源层和源/漏电极构成，其中源/漏电极与有源层位于同一层，源/漏电极分布在有源层两端。

进一步地，所述Al:Nd薄膜的厚度为100～300nm；所述AlOx:Nd栅极绝缘层的厚度为200～400nm。

进一步地，所述Al:Nd的掺杂浓度为1～5at％。

进一步地，所述氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm。

进一步地，所述的氧化物半导体薄膜的材料为STO-5(SiO₂:SnO₂＝5:95wt％)。

本实用新型的非晶氧化物薄膜晶体管可通过如下方法制备：

(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层；

(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体(STO)薄膜，作为TFT的有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；

(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；

(4)将步骤(3)所得器件在能量密度为20～100mJ/cm²的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管(STO-TFT)。

本实用新型的非晶氧化物薄膜晶体管具有如下优点及有益效果：

(1)本实用新型源漏电极与有源层之间接触面积小，寄生电容小，减小阻容延迟；

(2)本实用新型氧化物薄膜有源层具有良好的抗刻蚀性，可以制备小型化背沟道刻蚀型薄膜晶体管，实现高分辨显示。

附图说明

图1为本实用新型实施例的氧化物薄膜晶体管的结构示意图。图中编号说明如下：11-玻璃基板，12-Al:Nd薄膜栅极，13-AlOx:Nd栅极绝缘层，14-氧化物半导体薄膜有源层，15-源/漏电极。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例

本实施例的一种非晶氧化物薄膜晶体管，其结构结构示意图如图1所示。所述氧化物薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板11、Al:Nd薄膜栅极12、AlOx:Nd栅极绝缘层13、氧化物半导体薄膜有源层14和源/漏电极15构成，其中源/漏电极15与有源层14位于同一层，源/漏电极15分布在有源层14两端。

所述非晶氧化物薄膜晶体管通过如下方法制备得到：

(1)在玻璃基板上直流磁控溅射100～300nm Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长200～400nm AlOx:Nd栅极绝缘层；

(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体STO-5(SiO₂:SnO₂＝5:95wt％)薄膜，作为TFT的有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；

(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；

(4)将步骤(3)所得器件在能量密度为20～100mJ/cm²的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管(STO-TFT)。

本实施例的源/漏电极与有源层位于同一层，源/漏电极分布在有源层两端，源漏电极与有源层之间接触面积小，寄生电容小，减小阻容延迟。

上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。