[实用新型]电机的不对称转子结构及同步磁阻电机

说明书

技术领域

本实用新型涉及电机技术领域，尤其涉及一种电机的不对称转子结构及同步磁阻电机。

背景技术

同步磁阻电机在正常运行时，其合成磁场超前于D轴(直轴)一个角度，存在弱磁效应，因此，其关于Q轴(交轴)对称的两个导磁臂的磁密是不等的，而往往设计中需要顾全磁密较高的那个导磁臂，因此另一个导磁臂磁密偏低，容易引起Q轴漏磁，降低凸极比，影响电机性能。在现有技术中有关于Q轴不对称的转子设计，但大都通过极弧的不对称来体现的，其目的是为了降低转矩脉动，通过极弧的不对称设计，在转子旋转过程中，同定子齿槽的相互作用，使得各个出力位置不同，从而获得更低的转矩脉动。如何提升电机的转矩输出、提升电机效率是目前亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于克服上述现有技术的缺陷，提供了一种电机的不对称转子结构及同步磁阻电机，以解决导磁臂磁密不均而导致电机效率低的问题。

本实用新型一方面提供了一种电机的不对称转子结构，包括：转子的每个磁极上设有导磁通道，所述导磁通道包括导磁臂；所述导磁通道的位于交轴两侧的所述导磁臂的宽度不同，且导磁臂后沿宽度比导磁臂前沿宽度大；所述位于交轴两侧的所述导磁臂包括旋转方向后沿一侧的导磁臂和旋转方向前沿一侧的导磁臂；所述导磁臂后沿宽度是旋转方向后沿一侧的导磁臂的宽度，所述导磁臂前沿宽度是旋转方向前沿一侧的导磁臂的宽度。

可选地，所述导磁通道还包括导磁底部，所述旋转方向前沿一侧的导磁臂和所述旋转方向后沿一侧的导磁臂通过所述导磁底部相连接，所述导磁底部的导磁通道由旋转方向后沿向旋转方向前沿逐渐变窄；所述导磁臂是转子中呈径向方向的导磁通道，所述导磁底部是转子中呈切向方向的导磁通道。

可选地，还包括转子的每个磁极上设有两个以上结构相同、大小不同的导磁通道。

可选地，还包括在相邻的所述导磁通道之间填充低导磁性物质。

可选地，还包括：所述导磁臂后沿宽度与所述导磁臂前沿宽度的比值的取值范围为大于等于1.05且小于等于1.15。

可选地，所述旋转方向后沿一侧的导磁臂的中心线和所述旋转方向前沿一侧的导磁臂的中心线关于交轴对称。

可选地，还包括在与转子每个磁极对应的交轴的旋转方向前沿一侧的区域设有镂空槽，在所述镂空槽中填充低导磁性物质，以使导磁臂前沿宽度变窄。

本实用新型的另一方面又提供了一种同步磁阻电机，具有上述任一项所述的结构，所述同步磁阻电机为单向旋转的同步磁阻电机。

本实用新型的技术方案改善了导磁通道前后导磁臂磁密不均的情况，提升了电机在相同输入电流的情况下的转矩输出，提升了电机的效率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是本实用新型提供的电机的不对称转子结构的冲片结构示意图；

图2是4极电机对称转子导磁臂前沿和导磁臂后沿磁密平均值随时间变化的图示；

图3是4极电机对称转子和不对称转子转矩输出曲线对比图示；

图4是本实用新型提供的电机的不对称转子结构的不同宽度比值对应凸极比的关系示意图；

图5是本实用新型提供的电机的不对称转子结构的旋转方向前沿一侧的区域设置镂空槽的冲片结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型具体实施例及相应的附图对本实用新型技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。