[实用新型]芯片及晶圆

权利要求书

1.一种芯片，其特征在于，包括：

集成电路区；

位于所述集成电路区外围的切割偏斜测量结构，所述切割偏斜测量结构设有：

沿着所述芯片的边缘依次设置的若干标尺部，在所述若干标尺部的排列方向上，所述若干标尺部背向所述集成电路区的末端越来越远离所述集成电路区；

用于表征偏移量并沿着所述边缘依次设置的若干标记，所述若干标记与所述若干标尺部一一对应。

2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述切割偏斜测量结构的数量至少为两个；

两个所述切割偏斜测量结构分布在所述芯片相邻的两条边上；或者，

两个所述切割偏斜测量结构分布在所述芯片背对的两条边上。

3.如权利要求2所述的芯片，其特征在于，分布在所述芯片相邻两条边上的两个所述切割偏斜测量结构关于所述芯片的一对角线对称设置；

分布在所述芯片背对的两条边上的两个所述切割偏斜测量结构关于所述芯片另外两条边的中点连线对称设置。

4.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述若干标尺部为若干沿着所述排列方向间隔设置，并自所述集成电路区向所述边缘突出的凸块；

在所述排列方向上，所述若干凸块背向所述边缘的末端越来越远离所述集成电路区。

5.如权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述标记设置在所述凸块上。

6.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述标记为数字。

7.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括至少覆盖在所述标尺部和所述标记上的透明绝缘部。

8.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括：围绕所述集成电路区的密封环区，以及位于所述密封环区的密封环，所述切割偏斜测量结构位于所述密封环的外围。

9.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述密封环包括第一单元环和围绕所述第一单元环的第二单元环。

10.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述密封环包括若干层金属层。

11.如权利要求10所述的芯片，其特征在于，所述标尺部与最顶层的所述金属层位于同一层，并一体成型。

12.一种晶圆，其特征在于，包括：至少两个相邻设置并被切割道隔开的权利要求1至11任一项所述的芯片，相邻两个所述芯片面向彼此的边缘均设有所述切割偏斜测量结构，且在所述排列方向上，一个所述芯片上的所述若干标尺部与另一所述芯片上相对的所述若干标尺部之间的间隔越来越小。

13.如权利要求12所述的晶圆，其特征在于，相邻两个所述芯片面向彼此的边缘上的所述切割偏斜测量结构关于之间的切割道对称设置。

14.如权利要求13所述的晶圆，其特征在于，相邻两个所述芯片上的所述切割偏斜测量结构之间的最小间距为机械刀的宽度。

15.如权利要求12所述的晶圆，其特征在于，包括排列成矩形阵列的若干芯片；

包括所述切割偏斜测量结构的芯片至少分布在所述矩形阵列的最首行和最末行，且最首行和最末行的芯片中位于同一列的芯片上的所述切割偏斜测量结构关于所述矩形阵列的中心线对称设置；和/或，

包括所述切割偏斜测量结构的芯片至少分布在所述矩形阵列的最首列和最末列，且最首列和最末列的芯片中位于同一行的芯片上的所述切割偏斜测量结构关于所述矩形阵列的中心线对称设置。

16.如权利要求15所述的晶圆，其特征在于，排列成所述矩形阵列的若干芯片所在区域大小为曝光场的大小。