[实用新型]一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构

权利要求书

1.一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，包括自下而上依次设置的基板(1)、有源层(2)和包层(4)，包层(4)中设置有光栅层(3)，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层(8)和高反射镀膜层(7)，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0.5个周期的InGaAsP和0.25个周期的Inp，光栅连续排布形成光栅层(3)，光栅层(3)靠近高反射镀膜层(7)一端的侧面与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期。

2.根据权利要求1所述的一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，所述包层(4)上端开设有贯穿激光器芯片的台阶形的缺口，台阶形的缺口的第一台阶的内侧面为HR端光栅处切割断面(10),台阶形的缺口的第二台阶的内侧面为包层处切割断面(11)，HR端光栅处切割断面(10)与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期。

3.根据权利要求2所述的一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，所述台阶形的缺口的长度Ls为5μm～10μm，台阶形的缺口的高度Da为2μm～5μm，台阶形缺口下表面距离有源层(2)上表面的深度为Db，缺口内侧面与缺口底面的夹角α为70°～90°。

4.根据权利要求3所述的一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，所述台阶形的缺口左右方向的长度Ls为7μm，台阶形的缺口的高度Da为3.5μm。

5.根据权利要求1所述的一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，所述包层(4)的纵截面为台阶型，第一台阶、第二台阶以及连接第一台阶和第二台阶右侧面的上表面均沉积有SiO_x层(5)，x的值为1～3。

6.根据权利要求1所述的一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，所述抗反射镀膜层(8)包括沿着背离芯片方向依次设置的厚度为20nm的第一Ta₂O₅层、厚度为38nm的第一Si层和厚度为45nm的第二Ta₂O₅层。

7.根据权利要求1所述的一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，其特征在于，所述高反射镀膜层(7)包括沿着背离芯片方向依次设置的厚度为130nm的第三Ta₂O₅层、厚度为100nm的第二Si层、厚度为130nm的第四Ta₂O₅层、厚度为100nm的第三Si层和厚度为60nm的第五Ta₂O₅层。