[实用新型]一种低噪声的漩涡振荡装置有效
| 申请号: | 201720668095.3 | 申请日: | 2017-06-09 |
| 公开(公告)号: | CN207203977U | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
| 发明(设计)人: | 岳静;黄献中;魏小渊;赵利伟 | 申请(专利权)人: | 太原金域临床检验有限公司 |
| 主分类号: | B01F11/00 | 分类号: | B01F11/00 |
| 代理公司: | 广州胜沃园专利代理有限公司44416 | 代理人: | 张帅 |
| 地址: | 030000 山西省太原市*** | 国省代码: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 噪声 漩涡 振荡 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及基础实验设备的技术领域,具体涉及一种低噪声的漩涡振荡装置。
背景技术
漩涡振荡器是实验室中常用的基础设备,用于混匀试管内液体或固液混合物,但现有技术中,往往需要同时对大批量的试管进行振荡混合,低功率的漩涡振荡器在使用时达不到实验要求,旋涡振荡的强度不够大,混合效果不佳,影响实验效果;功率高的漩涡振荡器在运行过程中会产生强大的噪声,超过了实验室的要求标准,不利于营造良好的实验环境。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型的目的旨在提供一种低噪声的漩涡振荡装置,降低大功率漩涡振荡器在运行过程中产生的噪声,营造良好的实验环境。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种低噪声的漩涡振荡装置,包括:
基座,该基座内设置有振荡系统,基座的一侧面形成操作面板;
设置于基座上的多层试管放置架,该多层试管放置架的高度匹配于试管的高度,多层试管放置架包括至少两层水平的放置板,该至少两层放置板沿竖直方向均匀分布,各层放置板上均设置有共轴的第一放置孔,该第一放置孔的孔径匹配于试管的口径;
水平的传导降噪层,该传导降噪层设置于多层试管放置架上,传导降噪层上设置有共轴于第一放置孔的第二放置孔,该第二放置孔的孔径匹配于试管的口径。
作为本实用新型的一种改进,每两相邻的放置板之间均设置有传导降噪层。
作为本实用新型的一种改进,传导降噪层的厚度小于两相邻放置板的间距大小。
作为本实用新型的一种改进,传导降噪层由泡沫制成。
作为本实用新型的一种改进,基座上固定设置有安装板,该安装板的两侧分别设置有卡块;该多层试管放置架的底端设置有两相对的垂直连接板,两块相对的垂直连接板上分别设置有匹配于卡块的卡口,该多层试管放置架经卡块与卡口可拆卸地连接于基座。
本实用新型的有益效果在于:通过在多层试管放置架内设置传导降噪层,有效了降低漩涡振荡器运行过程中产生的噪声,解决了现有技术中大功率漩涡振荡器产生噪音过大、超出实验室标准的问题;多层试管放置架内设置有传导降噪层,传导振动的同时也提高了漩涡振荡器整体的稳定性,尤其是试管放置于多层试管放置架上的稳固性;传导降噪层的厚度小于相邻放置板的间距,以避免传导降噪层将相邻放置板间的空间填充满影响振荡混合效果;基座经安装板连接多层试管放置架,有利于提高漩涡振荡器的稳定性;多层试管放置架以匹配的卡口和卡块结构设置于基座上,便于安装和拆卸。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
附图标记:1、基座;2、安装板;21、卡块;3、多层试管放置架;4、放置板;41、第一放置孔;5、垂直连接板;6、传导降噪层;61、第二放置孔。
具体实施方式
下面,结合附图以及具体实施方式,对本实用新型做进一步描述:
如图1所示,一种低噪声的漩涡振荡装置,包括基座1、多层试管放置架3和传导降噪层6,基座1内设置有振荡系统(未图示),基座1的一侧面形成操作面板(未图示);基座1上固定设置有安装板2,该安装板2的两侧分别设置有卡块21;该多层试管放置架3的底端设置有两相对的垂直连接板5,两块相对的垂直连接板5上分别设置有匹配于卡块21的卡口(未图示),该多层试管放置架3经卡块21与卡口可拆卸地设置于基座1上;多层试管放置架3的高度匹配于试管的高度,多层试管放置架3包括两层水平的放置板4,两层放置板4沿竖直方向均匀分布,各层放置板4上均设置有共轴的第一放置孔41,该第一放置孔41的孔径匹配于试管的口径;水平的传导降噪层6设置于多层试管放置架3上,每两相邻的放置板4之间均设置有传导降噪层6,传导降噪层6的厚度小于两相邻放置板4的间距大小,由泡沫制成的传导降噪层6上设置有共轴于第一放置孔41的第二放置孔61,该第二放置孔61的孔径匹配于试管的口径。
本实用新型使用时,通过卡口和卡块21结构将多层试管放置架3经安装板2设置于基座1上;将待振荡混合的试管穿过第一放置孔41和第二放置孔61放置到多层试管放置架3中,启动振荡系统。
对本领域的技术人员来说,可根据以上描述的技术方案以及构思,做出其它各种相应的改变以及形变,而所有的这些改变以及形变都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
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