[实用新型]MEMS压力传感器有效
| 申请号： | 201720660348.2 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN206876312U | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 湛邵斌;霍红颖;胡涛;高月芳;王新中 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/10 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 压力传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS压力传感器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中部设有上下贯通的空腔；
薄膜，设于所述衬底上方且覆盖所述空腔；
介质层，设于所述薄膜上方，所述介质层上设有电感线圈；
固定电容，与所述电感线圈相连接。
2.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，在所述MEMS压力传感器的厚度方向上，所述介质层对应的区域包含并大于所述薄膜对应的区域，且所述介质层延伸出所述薄膜的部分与所述固定电容相连接。
3.如权利要求2所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述固定电容包括上极板和下极板，所述上极板和所述下极板分别设于所述介质层延伸出所述薄膜的部分的上方和下方。
4.如权利要求3所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述下极板底面与所述衬底底面位于同一平面。
5.如权利要求3所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述下极板的材质为硅。
6.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述电感线圈为平面电感线圈。
7.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述薄膜的厚度范围为10微米至20微米。
8.如权利要求1-7任一项所述的MEMS压力传感器，其特征在于，还包括基板，所述基板设于所述衬底下方。
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