[实用新型]一种小芯片的吸取装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种吸取装置，尤其涉及一种用于对小芯片的吸取装置。

背景技术

在半导体行业中，需要将芯片上的芯片承载膜取下后，再对芯片进行后续的加工操作；现有的小芯片的吸取方式大多采用如下的方式：吸取平台固定不动，使用真空把芯片的承载膜固定在吸取平台，使用顶针把芯片顶出以实现，芯片与膜的脱离，但是在实际的操作中发现，在芯片顶出的过程中由于芯片与膜的之间有膜的粘力影响，很难脱离，仅管有的采用了更小的顶针锥度和更强的真空，但是这样会导致芯片收到更大的外力致芯片破裂，速度也无法提升，从而给实际的操作带来了诸多不便。

实用新型内容

本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种结构简单，芯片和芯片承载膜易分离，且吸取速度快的小芯片的吸取装置。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种小芯片的吸取装置，包括吸取平台和顶针；所述吸取平台上设有若干个真空孔，用于吸附芯片；所述吸取平台的中部开有回型真空槽，且回型真空槽的内外边界的形状均为正方形，上述外边界的面积比芯片大，内边界的面积比芯片小；所述回型真空槽内还设有顶针，用于将芯片顶起。

优选的，所述内边界的面积为芯片的1/2。

优选的，所述顶针位于回型真空槽的中心处。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型方案的小芯片的吸取装置，其整体结构简单，加工成本低，利用回型真空槽使得芯片和芯片承载膜之间实现了预脱离，芯片与芯片承载膜的接触面积减小从而粘性降低，再利用顶针将芯片快速便捷的顶起，可以有效提高芯片与其承载膜的脱离效率，提高单位时间的产生效率同时提高芯片的贴装精度，减少芯片角落的破损率，具有较强的实用价值。

附图说明

下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：

附图1为本实用新型的俯视图；

附图2为本实用新型在工作状态时的结构示意图；

其中：1、吸取平台；2、顶针；3、真空孔；4、回型真空槽；5、芯片；6、芯片承载膜；40、外边界正方形；41、内边界正方形。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

如附图1-2所示的本实用新型所述的一种小芯片的吸取装置，包括吸取平台和1顶针2；所述吸取平台1上设有若干个真空孔3，用于吸附芯片；所述吸取平台1的中部开有回型真空槽4，且回型真空槽4的内外边界均为正方形，上述外边界40的面积比芯片5大，内边界41的面积比芯片5小；所述回型真空槽4内还设有顶针2，用于将芯片5顶起；所述内边界正方形41的面积为芯片5的1/2；所述顶针2位于回型真空槽4的中心处。

实际的操作方式如下所述：

首先第一步，将吸取平台的真空打开，利用吸取平台上的真空孔将芯片承载膜固定在吸取平台上，此时芯片在上，芯片承载膜在下；利用设置在吸取平台上的回型真空槽吸取芯片承载膜，由于回型真空槽内外边界均为正方形，而且外边界的面积比芯片大，内边界的面积为芯片的1/2，这样在利用回型真空槽对芯片承载膜时，位于回型真空槽下方的芯片承载膜的一部分向下脱离，实现了芯片和芯片承载膜的预脱离，芯片与芯片承载膜的接触面积减小从而粘性降低。

第二步，吸取芯片的吸取头接触芯片上表面并打开其真空，使得吸取头和芯片上表面相连。

第三步，吸取平台的中心的顶针顶出，芯片与吸取头一起向上运动，芯片承载膜在吸取平台真空的作业下，从芯片四周继续脱离， 此处，由于之前的第一步中的预脱离，使其二次脱离受到的粘力更小，芯片与吸取头之间的位移更小，以保证上片的位置精度。

本实用新型的小芯片的吸取装置，其整体结构简单，加工成本低，利用回型真空槽使得芯片和芯片承载膜之间实现了预脱离，芯片与芯片承载膜的接触面积减小从而粘性降低，再利用顶针将芯片快速便捷的顶起，可以有效提高芯片与其承载膜的脱离效率，提高单位时间的产生效率同时提高芯片的贴装精度，减少芯片角落的破损率，具有较强的实用价值。

以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。