[实用新型]光伏组件有效
申请号: | 201720657318.6 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN206976365U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 王锐;苗林;刘建达;左燕;王琪;张星;魏亚楠 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/055;H01L31/054;H01L31/05;H02S40/34 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能光伏电池组件技术领域,尤其涉及一种适用于高海拔地区的高效光伏组件。
背景技术
我国新疆、青海等高海拔地区太阳能资源丰富,部分地区太阳能资源为I级资源区,以上高海拔地区由于紫外辐照量高、昼夜温差大,对组件抗候性能、抗紫外老化性能均具有较高要求。高海拔高效光伏组件是一种既能适应高海拔极端环境又能高效利用太阳光能的组件,其自身具有较强的抗紫外老化性能,能在极端温度变化下正常工作,能在较为严酷的环境中高效率正常运行。
高海拔高效组件具有较高的功率输出和较强的耐候性,主要表现同规格光伏组件具有较高的功率输出(低封损)以及具有较强的抗紫外性能,在强紫外辐照环境中组件各个部位老化速度均匀缓慢,能适应极端的温度变化,且能够保证组件在高功率输出状态下保持25年正常运行。
组件的功率高效稳定输出主要由玻璃、EVA、电池片、焊带、汇流带、接线盒及二极管的各项优异性能共同影响,玻璃和EVA直接影响太阳光入射至电池片表面的总量强度,电池片是决定光吸收量及光电转化率的主要载体,焊带和汇流带则直接影响电池片内部电流传输及电能损耗,接线盒及内部二极管是电流输出及组件自我保护的核心部件。
组件的抗紫外性能主要由组件封装材料的抗紫外性能决定,对组件抗紫外性能影响较大的封装材料主要有EVA、背板、隔离条、接线盒,湿冻测试能较为完整的模拟组件环境温度极端变化,通过湿冻测试能保证组件在极端温度变化下正常运行。
如何能够提高高海拔高效组件的输出功率及其寿命成为目前亟待解决的问题之一。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具有高输出功率且寿命长的光伏组件。
本实用新型的上述技术问题是通过如下技术方案来实现的:
本实用新型涉及一种光伏组件,包括:依次层叠的玻璃、具有波长转换功能的高透EVA膜、电池片阵列、EVA膜以及背板。
可选的,所述玻璃为高透光率钢化镀膜玻璃。
可选的,所述具有波长转换功能的高透EVA膜的波段属于[380nm-460nm] 之间。
可选的,所述具有波长转换功能的高透EVA膜的克重大于等于390g/㎡。
可选的,所述电池片阵列包括:多个电池片、以及连接所述多个电池片的焊带及汇流带,所述焊带为表面呈波纹结构的高反光焊带。
可选的,所述光伏组件还包括隔离所述汇流带引出线的隔离条,所述隔离条包括:氟涂层和PET涂层。
可选的,所述EVA膜的克重大于等于400g/㎡。
可选的,所述背板为含氟背板。
可选的,所述光伏组件还包括:连接所述背板的接线盒,所述接线盒的材质为PPO或PPE。
可选的,所述接线盒包括二极管,所述二极管为低结温二极管。
相对于现有技术,本实用新型具有以下优点:
光伏组件包括:依次层叠的玻璃、具有波长转换功能的高透EVA膜、电池片阵列、EVA膜以及背板。由于具有波长转换功能的高透EVA膜,可以将紫外线的短波段转换至较长波段,降低此外线对封装材料内部结构破坏的同时也提高了光伏组件的输出功率。
进一步地,采用高透光率钢化镀膜玻璃,在保证了高效透光率的同时也保证了玻璃抗压及抗风沙的强度,提高了光伏组件的寿命。
进一步地,具有波长转换功能的高透EVA膜的克重大于等于390g/㎡,确保了电池片抗内部应力及组件形变能力,在一定程度上提高了光伏组件的寿命。
进一步地,采用表面呈波纹结构的高反光焊带提高了太阳光经焊带表面产生的二次反射,增加了电池片的光吸收率,进而也提高了光伏组件的输出功率。
进一步地,所述接线盒内设置有低结温二极管,确保了光伏组件在高功率输出状态温度升高时,光伏组件仍可以正常工作,提高了光伏组件高功率正常输出的概率。
附图说明
图1为本实用新型实施例的光伏组件的结构示意图;
图2为本实用新型实施例的电池片正面示意图;
图3为本实用新型实施例的电池片背面示意图;
图4为本实用新型实施例的焊带、汇流带示意图;
图5为本实用新型实施例的焊带的示意图;
图6为本实用新型实施例的电池片阵列连接示意图;
图7为本实用新型实施例的接线盒的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的